时间：2025/4/29 12:59:37
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BSC059N04LS6 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沒尔场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用先进的 SuperSO8 封装，适用于高效能开关和功率管理应用。其低导通电阻和高开关速度特性使其非常适合用于 DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等场景。
B6 的最大漏源电压为 40V，连续漏极电流可达 13A，导通电阻典型值为 5.9mΩ。这些参数确保了其在高效率和低损耗方面的卓越表现。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：13A
导通电阻（Rds(on)）：5.9mΩ
栅极电荷：21nC
总电容：1780pF
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
封装形式：SuperSO8
BSC059N04LS6 具备低导通电阻特性，从而降低了传导损耗，提高了整体效率。
该 MOSFET 还具有较低的栅极电荷，有助于实现快速开关，进一步减少开关损耗。
其紧凑的 SuperSO8 封装提供了出色的热性能，并适合空间受限的设计。
由于支持的工作温度范围广泛，该器件能够在极端环境条件下保持稳定运行。
BSC059N04LS6 采用无铅设计，符合 RoHS 标准，满足环保要求。
BSC059N04LS6 广泛应用于各种高效功率转换场合，例如笔记本电脑适配器、电源模块、消费类电子设备中的 DC-DC 转换器。
此外，它还适用于工业自动化系统中的电机驱动和控制电路。
在汽车电子领域，这款 MOSFET 可用作负载开关或保护电路中的关键元件。
由于其出色的电气特性和热性能，BSC059N04LS6 在需要高性能和高可靠性的应用中表现出色。
BSC063N04LS_G
BSC058N04LS_G
