时间：2025/9/12 10:36:25
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KHB7D5N60P1是一款功率MOSFET晶体管，广泛用于高电压和高电流的开关应用。该器件采用先进的制造工艺，具备优异的导通电阻和热稳定性。它通常用于电源管理、马达控制、DC-DC转换器以及各种功率电子设备中。
类型：N沟道
漏源电压（VDS）：600V
连续漏极电流（ID）：7A
导通电阻（RDS(on)）：约1.2Ω（典型值）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2V至4V
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
KHB7D5N60P1功率MOSFET具有低导通电阻，这有助于降低功率损耗并提高系统效率。其高耐压能力（600V）使其适用于高压电源应用。此外，该器件具备良好的热稳定性和过载能力，能够在严苛的环境中可靠运行。封装形式为TO-220，便于安装和散热管理。此外，该器件具备快速开关特性，适合用于高频开关电路。该器件还具有较低的输入电容，从而减少了栅极驱动损耗，提高了动态性能。
KHB7D5N60P1常用于各种电力电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、马达驱动器以及工业自动化设备中的功率控制电路。其高耐压和较高电流能力也使其适合用于照明系统、电池充电器和家用电器中的功率管理模块。
KHB8N60P1, KHB7N60Z, KHB7N60P1
