时间：2025/8/5 12:26:30
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IXTY1N100P-TRL 是一款由 IXYS 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。这款晶体管适用于高电压、高频率的开关应用，广泛用于电源转换器、电机控制、DC-DC 转换器、UPS 系统以及各种工业和消费类电子设备中。该器件采用了先进的平面技术，具有低导通电阻、高击穿电压和优异的热稳定性。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压 Vds：1000V
漏极电流 Id：1.2A（连续）
漏极峰值电流 Idm：4.8A
栅极阈值电压 Vgs(th)：2.1V ~ 4.0V
导通电阻 Rds(on)：1.5Ω（最大）
功耗 Pd：50W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-220
IXTY1N100P-TRL 的主要特性之一是其高耐压能力，漏源电压可达 1000V，使其适用于高压开关应用。该器件具有较低的导通电阻（Rds(on) 最大为 1.5Ω），在导通状态下能够有效降低功率损耗，提高系统效率。此外，其栅极阈值电压范围适中（2.1V ~ 4.0V），便于与标准逻辑电平驱动电路兼容。
该 MOSFET 还具有良好的热稳定性和较高的可靠性，适合在高温环境下工作。其 TO-220 封装形式便于安装和散热，适用于各种电源管理电路。此外，IXTY1N100P-TRL 具有快速开关特性，适用于高频开关应用，如开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器。
在抗冲击和抗干扰方面，该器件具备较高的雪崩击穿耐受能力，能够在瞬态电压条件下保持稳定工作。此外，其低漏电流特性使其在关断状态下功耗极低，有助于提高整体系统的能效。
IXTY1N100P-TRL 适用于多种高压功率电子系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、LED 照明驱动器、电机控制电路、逆变器和不间断电源（UPS）系统。此外，它也常用于工业自动化设备、家用电器和通信设备中的功率管理模块。由于其高耐压和低导通电阻的特性，特别适合用于需要高效、高可靠性的电源转换应用。
STP1N100FI, FQP1N100, 2SK2143
