时间：2025/12/24 16:52:03
阅读：12
AP08P20GS-HF是一款由Advanced Power Electronics Corp（简称APEC）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用N沟道结构，适用于高频率和高效率的开关电源应用。该器件采用TO-252封装，具有低导通电阻、高耐压和优异的热稳定性等特点。AP08P20GS-HF专为DC-DC转换器、同步整流、负载开关和电机控制等应用设计，能够在高温环境下稳定工作。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：8A
最大漏源电压（VDS）：200V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：0.22Ω（典型值）
栅极电荷（Qg）：18nC（典型值）
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TO-252
AP08P20GS-HF具有多项优良特性，首先是其低导通电阻，RDS(on)的典型值为0.22Ω，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。其次，该MOSFET的漏源电压额定值为200V，适用于中高压功率转换应用，具备良好的电压耐受能力。此外，该器件的栅极电荷（Qg）较低，仅为18nC，有助于减少开关损耗，提高开关频率下的性能表现。
AP08P20GS-HF采用了先进的沟槽式MOSFET技术，增强了器件的热稳定性和可靠性，使其能够在较高温度环境下持续工作。其TO-252封装具备良好的散热性能，适用于紧凑型设计中的高功率密度需求。同时，该MOSFET的栅源电压范围为±20V，支持更宽的驱动电压范围，提升了设计灵活性。
在短路和过载条件下，AP08P20GS-HF具备较强的抗冲击能力，增强了系统的稳定性和安全性。其快速开关特性和低反向恢复电荷也使其在高频应用中表现出色，适用于各类高效率电源转换系统。
AP08P20GS-HF广泛应用于各类电力电子设备中，包括AC-DC适配器、DC-DC转换器、同步整流模块、负载开关、电机驱动器和电池管理系统等。其高耐压和低导通电阻特性使其在工业电源、通信设备和消费类电子产品中具有较高的实用性。此外，该器件也适用于光伏逆变器、LED照明驱动器以及电动工具和电动车的电源管理系统。
SiHP08N20D, FDP08N20, IRF840, FQA8N20C
