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T7H8106504DN 发布时间 时间:2025/8/7 2:01:16 查看 阅读:16

T7H8106504DN 是一颗由东芝(Toshiba)公司生产的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)驱动器芯片,专为高功率应用设计。该芯片通常用于电机控制、电源管理和工业自动化设备中,作为主控电路与功率MOSFET之间的接口,以提高开关效率和系统稳定性。T7H8106504DN 采用高性能的CMOS工艺制造,具备较强的抗干扰能力,同时提供低延迟和高输出电流能力,使其适用于各种高频开关和高效率电源转换场合。该芯片通常采用14引脚封装,支持宽输入电压范围,并具有内置保护功能,如过热保护和欠压锁定,以提高系统可靠性。

参数

类型:MOSFET驱动器
  工作电压范围:4.5V 至 20V
  输出电流能力:±1.5A(典型值)
  传播延迟时间:50ns(典型值)
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装形式:TSSOP 14引脚
  驱动能力:高低边双通道输出
  逻辑输入兼容性:CMOS/TTL
  保护功能:过热保护、欠压锁定
  封装尺寸:4.4mm x 5.0mm
  功耗:1.2W(最大值)

特性

T7H8106504DN 是一款高性能的MOSFET驱动器芯片,适用于高功率和高效率的电源系统。其主要特性之一是具备双通道输出能力,能够同时驱动高边和低边的MOSFET,从而提高电源转换效率并减少外围元件数量。此外,该芯片具有较低的传播延迟,通常为50ns,使得它适用于高频开关应用,如DC-DC转换器、同步整流器和电机驱动器。芯片内部集成了欠压锁定(UVLO)功能,在输入电压不足时自动关闭输出,以防止MOSFET在非理想条件下工作,从而提高系统的稳定性和可靠性。
  该驱动器还具备过热保护功能,当芯片温度超过安全范围时,内部电路会自动关闭输出,防止损坏。这种保护机制对于在高温环境下运行的工业设备尤为重要。T7H8106504DN 采用CMOS工艺制造,具有较高的抗干扰能力,能够在复杂电磁环境中稳定工作。其输入端兼容TTL和CMOS电平,便于与各种控制器(如MCU或DSP)连接,简化了系统设计。
  另外,该芯片的封装形式为TSSOP 14引脚,体积小巧,便于在高密度PCB设计中使用。其宽输入电压范围(4.5V至20V)使其能够适应多种电源配置,适用于广泛的工业和汽车应用。整体来看,T7H8106504DN 是一款性能优异、可靠性高的MOSFET驱动器,适用于各种高功率电子系统。

应用

T7H8106504DN 广泛应用于需要高功率MOSFET驱动能力的场合,例如工业电机控制、伺服驱动器、电源管理系统、DC-DC转换器、同步整流器、逆变器以及各种自动化设备。此外,该芯片也可用于汽车电子系统中的功率控制模块,如电动助力转向系统(EPS)和电池管理系统(BMS)。由于其具备较高的抗干扰能力和稳定性,T7H8106504DN 也适用于需要在复杂电磁环境中工作的设备,如工业变频器和智能电表。

替代型号

T7H8106504DN 的替代型号包括:TC4420、LM5101B、IRS2104、MIC5021、FAN3224、NCP8104、Si8235、LTC4444、IX4426、DRV8703D。

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T7H8106504DN参数

  • 标准包装5
  • 类别半导体模块
  • 家庭SCR
  • 系列-
  • 结构单一
  • SCR 数目,二极管1 SCR
  • 电压 - 断路1000V
  • 电流 - 栅极触发电流 (Igt)(最大)150mA
  • 电流 - 导通状态 (It (AV))(最大)650A
  • 电流 - 导通状态 (It (RMS))(最大)1020A
  • 电流 - 非重复电涌,50、60Hz (Itsm)8200A,9000A
  • 电流 - 维持(Ih)-
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳TO-200 变异型
  • 包装散装