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PZTA92T1G 发布时间 时间:2023/4/24 10:35:45 查看 阅读:357

PZTA92T1G技术参数

目录

概述

类型:PNP

集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):300

集电极最大电流Ic(max)(mA):500

直流电流增益hFE最小值(dB):40

直流电流增益hFE最大值(dB):-

最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):50

封装/温度(℃):SOT-223/–55 to +150

资料

厂商
ON Semiconductor

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PZTA92T1G参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)50mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)300V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)500mV @ 2mA,20mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)40 @ 30mA,10V
  • 功率 - 最大1.5W
  • 频率 - 转换50MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称PZTA92T1GOSTR