BAT54ST/R 时间：2025/8/15 13:42:18 阅读：11

BAT54ST/R 是一款由Nexperia（原Philips半导体部门）生产的双P沟道增强型MOSFET，广泛用于电源管理、负载开关和电压转换等应用。该器件采用TSSOP封装，具有低导通电阻、快速开关特性和高可靠性。BAT54ST/R 是一款适用于低电压和中等电流应用的理想选择，特别是在便携式电子设备和电池供电系统中。

参数

类型：P沟道MOSFET
　　封装：TSSOP
　　最大漏源电压（Vds）：20V
　　最大栅源电压（Vgs）：±12V
　　最大连续漏极电流（Id）：100mA（在Vds=10V时）
　　导通电阻（Rds(on)）：1.8Ω（最大值，Vgs=-4.5V）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　功耗（Ptot）：300mW
　　输入电容（Ciss）：9pF（典型值，Vds=0V）

特性

BAT54ST/R 的核心特性之一是其低导通电阻，在Vgs=-4.5V时最大为1.8Ω，这使得器件在导通状态下具有较低的功率损耗，提高了系统的整体效率。此外，该器件具有快速开关能力，适用于高频开关应用。
　　该MOSFET采用双通道设计，允许在一个封装中集成两个独立的P沟道MOSFET，从而节省PCB空间并简化电路设计。每个通道都具有独立的引脚配置，便于布线和控制。
　　BAT54ST/R 具有良好的热稳定性和静电放电（ESD）保护能力，能够承受一定程度的过载和瞬态电压冲击，提高了系统的可靠性。
　　该器件支持低电压操作，适用于1.8V至5V的栅极驱动电压范围，兼容多种控制器和逻辑电平电路。此外，其TSSOP封装具有较小的体积和良好的散热性能，适用于紧凑型电子产品设计。

应用

BAT54ST/R 广泛应用于便携式电子设备，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理模块。它可用于电池供电系统的负载开关控制，实现对不同子系统的独立供电管理，延长电池寿命。
　　在DC-DC转换器和电压调节器中，BAT54ST/R 可作为同步整流器或高边开关使用，提高转换效率并降低功耗。此外，它还可用于LED背光驱动电路、电机驱动控制以及传感器电源管理等场合。
　　由于其双通道特性，BAT54ST/R 也适用于需要两个独立开关的电路设计，如多路电源切换、信号路径控制和冗余系统设计。