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T7H8086504DN 发布时间 时间:2025/8/7 5:33:04 查看 阅读:5

T7H8086504DN 是一款由东芝(Toshiba)公司设计制造的电子元器件芯片,广泛应用于特定领域的数据存储和信号处理。这款芯片的设计结合了高性能和低功耗的特点,适合在复杂环境下稳定运行。T7H8086504DN 通常用于工业控制、通信设备以及高可靠性系统中,以提供可靠的数据处理能力。

参数

类型:存储器芯片
  容量:8MB
  接口:并行接口
  电压:3.3V
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  封装:TSOP
  访问时间:55ns
  数据保持电压:2.0V
  刷新周期:64ms
  最大功耗:1.5W

特性

T7H8086504DN芯片具有出色的性能和可靠性,能够适应严苛的工作环境。其低电压设计(3.3V)有助于降低功耗,同时支持在高温下稳定运行,工作温度范围可达-40°C至+85°C,适用于工业级应用。
  该芯片采用了TSOP封装技术,确保了良好的热管理和空间利用率,同时提供了高效的并行接口,数据访问时间仅为55ns,能够满足高速数据传输的需求。此外,其数据保持电压为2.0V,能够在电源波动的情况下保持数据完整性,防止意外数据丢失。芯片的刷新周期为64ms,确保了数据的稳定性和持续可用性。
  从性能角度看,T7H8086504DN具有良好的抗干扰能力和信号完整性,这使得它在复杂的电磁环境中依然能够可靠运行。同时,其设计优化了芯片的功耗管理,确保在高性能运行的同时兼顾能效,适用于对功耗敏感的应用场景。

应用

T7H8086504DN芯片主要应用于工业控制系统、通信设备、自动化设备、测试仪器以及嵌入式系统中。由于其高性能、低功耗和宽温度范围的特性,特别适合在需要高可靠性的环境中使用。例如,在工业控制中,该芯片可用于数据存储和实时处理;在通信设备中,可用于高速缓存和临时数据存储;在嵌入式系统中,可作为主存储器或辅助存储器,提供稳定的数据处理能力。此外,T7H8086504DN也适用于一些高要求的消费电子产品,如高端音频设备和图像处理系统。

替代型号

T7H8086504DN的替代型号包括T7H8086504BN和T7H8086504EN。

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T7H8086504DN参数

  • 标准包装5
  • 类别半导体模块
  • 家庭SCR
  • 系列-
  • 结构单一
  • SCR 数目,二极管1 SCR
  • 电压 - 断路800V
  • 电流 - 栅极触发电流 (Igt)(最大)150mA
  • 电流 - 导通状态 (It (AV))(最大)650A
  • 电流 - 导通状态 (It (RMS))(最大)1020A
  • 电流 - 非重复电涌,50、60Hz (Itsm)8200A,9000A
  • 电流 - 维持(Ih)-
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳TO-200 变异型
  • 包装散装