类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：30V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：80A（在Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大8.3mΩ（在Vgs=10V时）
　　功率耗散（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　封装形式：SOP（具体尺寸根据厂商规格）

HG73C083FL采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具有非常低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗并提高了系统的整体效率。其高电流承载能力（额定漏极电流可达80A）使其适用于高功率密度设计。该器件还具备出色的热性能，能够有效散热，确保在高负载条件下稳定运行。此外，HG73C083FL的栅极电荷（Qg）较低，有助于提高开关速度，减少开关损耗，从而进一步提升系统效率。该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和过载保护特性，能够在严苛的工作环境下保持可靠运行。
　　HG73C083FL的封装设计优化了热管理和空间利用率，适合用于紧凑型电源设计。其表面贴装封装形式也便于自动化生产和焊接工艺的优化。此外，该器件的电气特性和机械特性均符合工业级标准，适用于工业控制、通信设备、汽车电子、消费类电源等多个领域。

HG73C083FL广泛应用于各类高效率电源转换系统，包括但不限于同步整流DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、电源管理IC（PMIC）外围电路、服务器电源模块、工业自动化设备和车载电源系统等。其低导通电阻和高电流能力使其成为高性能电源设计中的理想选择。

Si7396DP, IPP083N06N3GKSA1, FDS4410, IRF7381PBF