TQF6297H 时间：2025/8/16 5:03:30 阅读：35

TQF6297H 是一款由 Toshiba（东芝）公司推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率、高频开关应用设计。该器件采用了先进的工艺技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，使其非常适合用于电源转换、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等应用场景。TQF6297H 采用小型化的表面贴装封装（SOP），有助于节省PCB空间并提高系统集成度。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：4.4A
　　导通电阻（Rds(on)）：28mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOP-8

特性

TQF6297H 具备多项优异的电气和物理特性，首先是其低导通电阻，Rds(on) 典型值为28mΩ，这有助于显著降低导通损耗，提高电源转换效率。该器件的漏源电压为30V，连续漏极电流可达4.4A，适用于中等功率级别的应用。其栅源电压范围为±20V，具备较强的抗电压波动能力，提高了器件在复杂电路环境中的稳定性。
　　此外，TQF6297H 的开关速度较快，具有较低的栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗，在高频开关电路中表现优异。该器件的功耗为2.5W，采用SOP-8封装，具备良好的热性能和机械稳定性，适合表面贴装工艺，便于自动化生产和维护。
　　TQF6297H 还内置了热保护和过电流保护功能，提升了器件在实际应用中的可靠性和耐用性。这些特性使其成为各类电源管理、负载开关、电池管理系统（BMS）以及工业控制设备的理想选择。