时间：2025/8/7 5:01:58
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T7H8026504DN是一款由东芝（Toshiba）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率、高频率的开关电源、DC-DC转换器、电机驱动器等电子系统中。该器件具有较低的导通电阻、较高的开关速度和良好的热性能，适用于需要高效能和高可靠性的应用环境。T7H8026504DN采用先进的沟槽式MOSFET结构，确保了在高电流条件下的稳定工作。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：80V
漏极电流（Id）：60A（最大）
导通电阻（Rds(on)）：约2.6mΩ（典型值）
栅极电压（Vgs）：±20V
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-247
T7H8026504DN具备多项高性能特性，使其在各种高功率应用中表现出色。首先，该MOSFET具有极低的导通电阻（Rds(on)），可显著降低导通损耗，提高整体系统的能效。其次，该器件采用了东芝先进的沟槽技术，使电流密度更高，同时保持较低的开关损耗，适用于高频开关应用。此外，T7H8026504DN的封装设计优化了散热性能，能够在高电流负载下保持稳定的温度表现，确保长期运行的可靠性。
该器件还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态高压条件下保持稳定工作，避免因电压尖峰导致的损坏。栅极驱动电压范围宽（±20V），兼容多种驱动电路，便于系统设计和优化。同时，其工作温度范围宽广（-55°C至175°C），适合在极端环境条件下使用，如汽车电子、工业自动化等应用领域。
T7H8026504DN广泛应用于高功率电源系统，如服务器电源、电信电源、UPS不间断电源、太阳能逆变器、DC-DC转换器以及电机驱动控制系统。由于其优异的导通特性和热管理能力，该MOSFET特别适合需要高效能、高稳定性的工业和汽车电子系统。此外，在电动汽车（EV）充电设备、储能系统以及高功率LED照明驱动电路中也有广泛应用。
TK80E80K,T7H8026504FL,TK85E80K
