类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压 (Vds)：30V
　　栅源电压 (Vgs)：±20V
　　连续漏极电流 (Id)：15A
　　导通电阻 (Rds(on))：5.5mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻 (Rds(on))：8.0mΩ @ Vgs=4.5V
　　功率耗散 (Pd)：60W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：T2B
　　晶体管配置：单管

NESG7030M04-T2B 具备一系列优异的电气和热性能特性，确保其在各种功率应用中的稳定性和高效性。
　　首先，该器件的低导通电阻（Rds(on)）在10V和4.5V栅极驱动条件下分别达到5.5mΩ和8.0mΩ，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。这对于需要高效功率转换的应用，如DC-DC转换器、负载开关和电机控制电路，尤为重要。
　　其次，该MOSFET采用了先进的沟槽技术，优化了电流密度和开关性能，使得器件在高频工作条件下仍能保持较低的开关损耗。这使得它非常适合用于高频开关电源、同步整流和电源管理系统。
　　此外，NESG7030M04-T2B 支持高达15A的连续漏极电流，能够在较高的负载条件下稳定运行。其最大漏源电压为30V，栅源电压限制为±20V，确保了器件在宽电压范围内的安全操作。
　　该器件的T2B封装提供了良好的热管理性能，散热能力较强，有助于提高整体系统的可靠性和寿命。其额定功率耗散为60W，在高温环境下仍能保持良好的性能。

NESG7030M04-T2B 主要应用于需要高效率、高频开关性能的功率管理系统中。典型应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器和电池管理系统。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件也常用于高性能电源管理模块、工业自动化设备和汽车电子系统中。

Si7461DP-T1-GE3, IRF7413TRPBF, FDS6680, NDS7002A