GM76C8128CLLFW-70 是由GSI Technology公司生产的高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件具有高性能和低功耗的特点,适用于各种需要高速数据访问的应用场景。该SRAM芯片采用CMOS技术制造,提供高可靠性和稳定性。该芯片的封装形式为LLCC(Leadless Ceramic Chip Carrier),适用于工业级和高性能计算设备。
存储容量:8 Mbit
组织方式:128 K x 8
访问时间:7 ns
电源电压:3.3V
工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
封装类型:LLCC
引脚数:52
最大工作频率:143 MHz
数据保持电压:2.0V
待机电流:10 mA(典型值)
读取电流:250 mA(典型值,143 MHz下)
GM76C8128CLLFW-70 是一款高性能的CMOS静态随机存取存储器芯片,具有以下关键特性:
1. 高速访问能力:该芯片的访问时间仅为7 ns,支持高达143 MHz的工作频率,使其适用于需要快速数据处理的高性能系统。
2. 低功耗设计:尽管具有高速特性,该芯片仍然保持较低的功耗水平。在待机模式下,电流消耗仅为10 mA,而在读取操作期间的典型电流为250 mA,适用于对功耗敏感的应用。
3. 工业级温度范围:支持-40°C至+85°C的工作温度范围,使其适用于工业自动化、通信设备等对环境适应性要求较高的场景。
4. 采用LLCC封装:LLCC封装形式不仅提供了良好的散热性能,还具有较小的体积,适用于空间受限的高密度电路板设计。
5. 高可靠性:基于CMOS工艺制造,确保了器件的稳定性和长期可靠性,适用于关键任务系统和长期运行的设备。
6. 数据保持功能:即使在低至2.0V的电压下,芯片仍可保持存储数据不丢失,提高了系统在电源异常情况下的容错能力。
GM76C8128CLLFW-70 SRAM芯片广泛应用于多个高性能电子系统领域。由于其高速访问时间和低功耗特性,它常用于网络设备、通信基础设施、路由器和交换机中的缓存存储。此外,在工业控制系统、测试测量设备、嵌入式系统以及需要快速数据处理的计算设备中也具有广泛的应用场景。由于其工业级温度适应性,该芯片也可用于恶劣环境下的应用,如航空航天电子设备和车载控制系统。
IS61WV1288BLL-7TF