时间：2025/8/5 19:12:59
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IXTA120P065T-TRL是一款由IXYS公司制造的高性能P沟道功率MOSFET。这款MOSFET设计用于高电流和高功率应用，具有出色的导通电阻和快速开关特性，适用于电源管理和功率转换系统。该器件采用TO-220-3封装，适合用于需要高效能和高可靠性的工业和消费电子设备中。
类型：P沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：65V
最大漏极电流(Id)：120A（在25°C）
导通电阻(Rds(on))：0.0023Ω（最大值）
最大功耗(Pd)：250W
栅极阈值电压(Vgs(th))：-2.0V至-4.0V
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-220-3
IXTA120P065T-TRL采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供极低的导通电阻，从而减少导通损耗并提高系统效率。其高电流容量和低Rds(on)特性使其非常适合用于高功率开关应用。该器件还具备优异的热稳定性和高耐用性，能够在高负荷条件下长时间运行。此外，它具有快速开关速度，有助于减少开关损耗，提高电源转换效率。TO-220封装设计便于安装散热片，有助于有效散热。
IXTA120P065T-TRL广泛应用于各种高功率电子设备中，包括电源供应器、DC-DC转换器、电机控制器、电池管理系统、UPS系统以及各种工业自动化设备。由于其高可靠性和高性能，它也常用于汽车电子系统和消费类电子产品中的电源管理模块。
Si4410DY-T1-GE3, IRF9540NPBF, FQP120P06
