PEC1305S1Q是一款基于CMOS工艺的霍尔效应传感器芯片,主要用于检测磁场的存在、方向或强度。该芯片具有低功耗和高灵敏度的特点,适用于各种消费电子和工业应用中的无触点开关及速度检测场景。
这款霍尔效应传感器集成了电压调节器、霍尔探头、信号放大器、施密特触发器以及NMOS输出晶体管等关键电路模块。通过优化的内部设计,确保了芯片能够在较宽的工作电压范围和温度范围内保持稳定的性能。
工作电压:2.8V~5.5V
工作电流:10uA(典型值)
响应时间:1us(最大值)
输出类型:NMOS开漏输出
工作温度范围:-40℃~125℃
封装形式:SOT-23
PEC1305S1Q具备低功耗运行模式,在待机状态下仅消耗极少的电流,非常适合电池供电设备使用。它采用了先进的温度补偿技术,从而保证在不同环境温度下仍能维持精准的磁灵敏度。
此外,该器件内置了保护机制,例如反向电压保护和过流限制功能,提高了其可靠性和耐用性。由于其小尺寸封装,便于在空间受限的应用场合中进行安装和部署。
该芯片还拥有快速响应能力,能够及时捕捉到磁场变化,这对于实时控制和监测系统尤为重要。同时,它支持多种电源电压,简化了与不同系统的集成过程。
PEC1305S1Q广泛应用于各类需要非接触式位置或运动检测的场景中,例如智能手机翻盖检测、笔记本电脑屏幕开合感应、家电设备的按键替代方案等。
在汽车电子领域,它可以用于车门把手解锁、变速箱档位检测等功能。工业自动化方面,该芯片可以作为接近开关来监控机械部件的位置状态或者用作旋转编码器的一部分以实现速度测量。
ME212T,SUS40B