AM27C512-250DC是一款由AMD(Advanced Micro Devices)生产的512K位高性能紫外线可擦除可编程只读存储器(UV EPROM)。该器件采用先进的浮栅CMOS技术制造,具有低功耗、高可靠性以及非易失性数据存储能力。AM27C512的存储容量为64K x 8位,即总共可存储65,536字节的数据。它广泛应用于需要固件存储或程序代码存储的嵌入式系统中,例如工业控制器、通信设备、测试仪器和老式计算机系统等。该芯片封装形式为双列直插DIP28,便于在各种电路板上进行安装与更换,并支持通过紫外线照射实现芯片内容的完全擦除,以便重复编程使用。AM27C512-250DC中的“250”表示其最大访问时间不超过250纳秒,适用于中等速度要求的应用场景。此外,该器件工作电压为5V±10%,具备良好的电气兼容性,适合与多种微处理器和微控制器接口协同工作。
制造商:AMD
类型:EPROM
容量:512 Kbit
组织结构:64K × 8
封装类型:DIP28
供电电压:4.5V ~ 5.5V
访问时间:250 ns
工作温度范围:0°C ~ 70°C
编程电压:VPP = 12.5V 或 21V(根据版本)
编程脉冲宽度:50 μs(典型值)
输出高电平电压:VOH = 2.4V(最小值)
输出低电平电压:VOL = 0.4V(最大值)
待机电流:IMAX = 35 mA(典型应用条件下)
AM27C512-250DC采用高性能CMOS浮栅技术,确保了其在非易失性存储方面的优异表现,能够在断电后长期保存数据,典型数据保持时间可达10年以上。其250ns的存取速度使其适用于对响应时间有一定要求但不极端苛刻的控制系统中,如早期的工业自动化设备和智能仪表。该芯片支持标准的+5V电源供电,同时在编程时需要施加较高的编程电压(通常为12.5V或21V,具体取决于器件版本),以完成字节的写入操作。为了防止误编程,AM27C512集成了片上编程算法控制逻辑,只有在满足特定地址和时序条件时才会接受编程指令。该器件具备良好的抗干扰能力和温度稳定性,在商业级温度范围(0°C至70°C)内能稳定运行。其DIP28封装不仅便于手工焊接和替换,也方便用户在开发阶段进行反复调试与固件更新。另外,芯片顶部设有石英玻璃窗口,允许用户通过紫外线光源(波长约为253.7nm)照射约15到20分钟即可完成整个存储内容的擦除过程,从而实现多次重复使用。这种可擦除特性使得AM27C512特别适合原型设计、小批量生产以及教学实验环境。
在功能方面,AM27C512提供三态输出控制,能够直接连接到数据总线上,与其他外围器件共享总线资源而不会造成冲突。当片选信号(CE)无效时,芯片进入高阻抗状态,显著降低功耗并提升系统兼容性。此外,该器件还支持软件识别厂商代码和设备代码的功能,通过特定的读取序列可以返回AMD的ID信息(如01h)以及自身型号标识,便于系统自检和自动配置。尽管现代系统已普遍采用闪存替代传统EPROM,但在一些老旧设备维护、军工产品延续生产或特殊环境下,AM27C512-250DC仍因其可靠性和可追溯性而被继续使用。其设计遵循JEDEC标准引脚排列,确保与同类产品的互换性,并简化了PCB布局设计。总体而言,AM27C512-250DC是一款经典且可靠的EPROM器件,代表了上世纪末主流固件存储解决方案的技术水平。
AM27C512-250DC主要用于需要长期保存程序代码或固定数据的电子系统中,常见于工业控制设备中的PLC固件存储、通信基站的引导程序存储、医疗仪器的校准参数保存以及老式计算机BIOS模块。此外,它也被广泛用于教学实验平台,供学生学习EPROM编程、擦除及存储器接口设计。在军事和航空航天领域的一些遗留系统中,由于认证周期长和更换成本高,该芯片仍有实际应用价值。同时,该器件适用于需要现场升级但不具备在线电擦除功能的嵌入式系统,配合专用编程器实现固件更新。
M27C512-250DC
TMS27C512-250DC
MBM27C512-250DC
SST39SF040