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ONET4251PA 发布时间 时间:2025/7/1 3:06:35 查看 阅读:8

ONET4251PA 是一款高性能的 N 没有通道功率 MOSFET,采用先进的半导体工艺制造,主要用于需要高效能和低功耗的应用场景。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度,能够显著降低系统的能量损耗。
  这款芯片广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器等场合。由于其出色的电气性能和可靠性,ONET4251PA 成为许多设计工程师的理想选择。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:60A
  导通电阻(典型值):2.5mΩ
  栅极电荷:80nC
  总电容:1200pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

ONET4251PA 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,可有效减少功率损耗。
  2. 高速开关能力,适合高频应用。
  3. 出色的热稳定性,能够在极端温度范围内正常运行。
  4. 具备良好的抗电磁干扰能力。
  5. 小型封装设计,节省电路板空间。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅。

应用

ONET4251PA 可用于以下应用领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)。
  2. 电机控制与驱动。
  3. DC-DC 转换器。
  4. 电池管理系统(BMS)。
  5. 工业自动化设备中的功率调节。
  6. 汽车电子系统中的负载切换。

替代型号

IRFZ44N
  STP55NF06
  FDP5500

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