类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：60V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　漏极电流(Id)：21A
　　导通电阻(Rds(on))：45mΩ（最大值）
　　功率耗散(Pd)：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：TO-220

T6421N具有优异的导通性能和开关性能，能够在高频条件下稳定工作。其低导通电阻（Rds(on)）确保了在大电流工作状态下功率损耗的最小化，从而提高整体系统效率。该器件采用了东芝专有的沟槽栅极结构技术，使得电流分布更加均匀，提升了器件的可靠性和耐用性。
　　此外，T6421N具备较高的栅极击穿电压（±20V），增强了其在复杂电磁环境中的抗干扰能力，降低了因过压导致的故障率。其TO-220封装形式具备良好的热管理能力，能够在高功率负载下保持较低的工作温度，从而延长器件的使用寿命。
　　该MOSFET还具有快速开关响应时间，适用于需要高频操作的电源转换器、DC-DC转换器和电机驱动电路。其优异的热稳定性使其在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，适用于汽车电子、工业控制和电源管理系统等应用领域。

T6421N广泛应用于各类高功率电子系统中，包括电源管理模块、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备。由于其出色的导通性能和热稳定性，也常用于汽车电子系统中的功率控制单元，如电动助力转向系统（EPS）、车窗控制模块和车载充电器等。此外，该器件还可用于UPS（不间断电源）、逆变器和太阳能充电控制器等能源管理系统中，以提高能源转换效率和系统可靠性。

SiHF60N06EY-T2-GE3, IRFZ44N, FDP6030L, FQP60N06L