时间：2025/3/24 10:45:10
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DMN2041L 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用超小型封装设计，具有低导通电阻和高开关速度的特性，适用于多种功率转换应用。DMN2041L 的工作电压范围较广，能够承受较高的漏源极电压，并且具备良好的热性能，适合用于空间受限的电路设计。
漏源极击穿电压：30V
最大漏电流：2.8A
导通电阻（Rds(on)）：75mΩ（典型值，在 Vgs=4.5V 时）
栅极电荷：9nC（典型值）
连续漏极电流：2.8A
功耗：1.3W
结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：SOT-23
DMN2041L 提供了出色的电气性能，尤其是在低导通电阻方面表现优异，从而减少了功率损耗并提高了效率。
该器件还具备快速的开关能力，可以有效降低开关损耗，非常适合高频应用。
SOT-23 封装使得 DMN2041L 成为一种节省空间的解决方案，同时保持了良好的散热性能。
此外，其高雪崩能力和鲁棒性也确保了在异常条件下仍然能稳定工作。
由于 DMN2041L 的低 Qg 和低 Rds(on)，它在电池供电设备、负载开关、DC-DC 转换器等应用中表现出色。
1. 移动设备中的电源管理单元（PMU），如智能手机和平板电脑。
2. 各类 DC-DC 转换器和降压/升压稳压器。
3. USB 端口保护和切换开关。
4. 便携式设备中的负载开关。
5. LED 驱动电路以及音频放大器中的功率级驱动。
DMN2041UF
DMN2041SF
NTMFS4836NL
