BUK4D38-20P 是一款由安森美(ON Semiconductor)生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-263封装,适用于多种开关应用场合,例如电机控制、电源管理和负载切换等。它具有低导通电阻和快速开关特性,能够有效降低功耗并提升系统效率。
BUK4D38-20P的耐压能力为200V,且支持高电流操作,这使其成为高压应用的理想选择。此外,该器件具备出色的热稳定性和鲁棒性,适合在严苛的工作环境下使用。
最大漏源电压:200V
最大连续漏极电流:19A
最大栅极漏极电压:±20V
导通电阻(典型值):0.18Ω
总功耗:25W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
1. 高耐压能力(200V),适用于多种高压应用场景。
2. 低导通电阻(0.18Ω),可显著减少传导损耗。
3. 快速开关速度,有助于提高系统效率并减少电磁干扰。
4. 支持大电流操作(最高19A),适合驱动重载设备。
5. 热性能优异,能够在高温环境下长时间稳定运行。
6. 符合RoHS标准,绿色环保设计。
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. 直流/直流转换器中的同步整流功能。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 各类负载切换和保护电路。
5. 工业自动化和汽车电子系统的功率管理模块。
IRFZ44N
STP16NF06
FDP5500
AO3400