时间：2025/8/7 11:53:03
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DDB2U50N08W1R 是由东芝（Toshiba）生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件适用于高频率和高效率的功率转换应用，例如DC-DC转换器、同步整流器、电机控制和电源管理系统。DDB2U50N08W1R采用高性能的U-MOS技术，具有低导通电阻、高耐压和高电流能力，使其在高负载条件下也能保持良好的性能。该器件采用双封装（双MOSFET封装）结构，有助于减少PCB面积并提高热性能。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：2 x 50A
漏极-源极电压（VDS）：80V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：2.9mΩ（最大值，@VGS=10V）
功率耗散（PD）：160W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：双封装（SOP）
DDB2U50N08W1R具备多项优异的电气和物理特性。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保在高电流工作条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提高整体系统效率。此外，该器件具有高耐压能力，漏极-源极电压可达80V，适用于多种中高压应用。其双MOSFET封装结构不仅节省空间，还能提供更高的热管理和电流承载能力。
该MOSFET采用先进的U-MOS技术，显著降低开关损耗，提高高频工作的稳定性。此外，DDB2U50N08W1R的栅极驱动电压范围较宽（±20V），支持灵活的驱动电路设计，同时具备良好的抗雪崩能力和短路耐受能力，适用于高可靠性要求的工业和汽车电子系统。
封装方面，DDB2U50N08W1R使用双SOP封装，有助于减少PCB布局中的寄生电感，提高开关性能。其160W的高功率耗散能力也确保在高负载环境下仍能稳定运行。
DDB2U50N08W1R广泛应用于各类高功率密度和高效率的电力电子设备中。常见的应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、负载开关、电源管理模块以及汽车电子系统。由于其优异的导通和开关性能，该器件特别适用于需要高效能、高可靠性的工业自动化设备、服务器电源、通信设备和电动汽车系统。
在电动汽车领域，DDB2U50N08W1R可用于车载充电器、DC-DC变换器和电池保护电路。在工业控制方面，该MOSFET适用于PLC电源、伺服驱动器和不间断电源（UPS）等应用。此外，由于其高可靠性和宽工作温度范围，DDB2U50N08W1R也适用于恶劣环境下的电子系统。
TK2R0N08W1R,TDD150N08W1R,TDD200N08W1R
