时间：2025/6/26 16:28:20
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FN15N160J500PNG是一款高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型器件。它通常用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他高电压应用中，能够提供高效的功率转换和稳定的性能表现。
该型号采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高击穿电压以及快速开关速度等特点，能够在高频工作条件下保持高效运行。此外，其封装形式为PQFN（薄型四方扁平无引脚封装），有助于提高电路板的空间利用率。
最大漏源电压：1600V
连续漏极电流：15A
导通电阻：2.8Ω
栅极电荷：90nC
输入电容：2300pF
开关时间：ton=75ns，toff=45ns
结温范围：-55℃至+175℃
FN15N160J500PNG具有以下主要特性：
1. 高耐压能力，最大漏源电压达到1600V，适用于多种高压场景。
2. 低导通电阻（2.8Ω），降低了功率损耗，提升了整体效率。
3. 快速开关速度，开关时间短（ton=75ns，toff=45ns），适合高频应用。
4. 优化的栅极电荷设计，减少了驱动功耗。
5. 耐热性能优异，支持高达175℃的工作结温，增强了器件的可靠性。
6. 封装形式为PQFN，体积小且散热性能良好，适合紧凑型设计。
该芯片广泛应用于各种高压功率转换场合，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. 太阳能逆变器中的DC-AC转换模块。
4. 电动汽车充电桩及车载充电设备。
5. 工业自动化设备中的高压驱动部分。
由于其出色的电气特性和稳定性，FN15N160J500PNG成为许多高要求应用场景的理想选择。
IRFP260N
STGW15N160HD
FDB8102
