类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：60V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：110A（在Tc=25°C时）
　　导通电阻(Rds(on))：最大4.5mΩ（在Vgs=10V时）
　　功率耗散(Pd)：300W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-220

T6236D/S 是一款高性能的N沟道功率MOSFET，具备极低的导通电阻(Rds(on))，通常在4.5mΩ以下。这使得在高电流工作条件下，器件的功率损耗显著降低，从而提高了整体系统效率。此外，其漏源电压额定值为60V，能够胜任中高压功率转换应用，如DC-DC转换器、电机驱动器和电池管理系统。
　　该MOSFET支持高达110A的连续漏极电流，在高负载应用中表现出色。其栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V至15V驱动电平，确保与各种驱动电路兼容。此外，T6236D/S具有良好的热稳定性和抗冲击能力，能够在高温度环境下稳定运行，适用于工业级应用。
　　由于其TO-220封装设计，T6236D/S在安装和散热方面非常便捷，适合需要高功率密度和紧凑设计的应用场景。该封装具备良好的散热性能，确保在高功率操作时仍能保持较低的温升，从而提高系统可靠性和寿命。

T6236D/S MOSFET适用于多种高功率电子系统，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制器、电池管理系统（BMS）以及高功率LED驱动器。在工业自动化设备中，T6236D/S常用于高电流负载开关和电源管理模块。此外，其优异的导通特性和热稳定性也使其成为电动汽车充电系统、太阳能逆变器和储能系统中的理想选择。消费类电子产品如高性能电源适配器、服务器电源和大功率便携设备也广泛采用该器件以提升能效。

STP110NF55T | IRF1405 | FDP110N50T | T6236F/S