类型：NPN晶体管
　　集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　集电极-基极电压（Vcb）：40V
　　发射极-基极电压（Veb）：5V
　　集电极电流（Ic）：150mA
　　功率耗散（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-65°C至+200°C
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110至800（具体取决于等级）

2N1155晶体管具有多项显著特性，使其在电子电路设计中具有广泛的应用潜力。首先，其NPN结构使其适合用作电流放大器或开关器件，能够高效地控制较大的负载电流。其次，2N1155的高频特性使其能够在100MHz范围内的电路中稳定工作，这使其适用于射频（RF）和中频（IF）放大器应用。此外，该晶体管的封装形式为TO-18金属封装，不仅提供了良好的散热性能，还能在一定程度上屏蔽电磁干扰，提高电路的稳定性。
　　该晶体管的电流增益（hFE）范围较广，从110到800不等，这意味着用户可以根据具体需求选择不同增益等级的器件，以满足不同的电路设计要求。2N1155的集电极-发射极饱和电压（Vce(sat)）较低，有助于减少导通损耗，提高能效。同时，其最大集电极电流为150mA，使其能够胜任中等功率的放大和开关任务。
　　另外，2N1155具有较高的工作温度耐受性，能够在-65°C至+200°C的极端环境下稳定运行，适用于一些对环境适应性要求较高的工业和军事应用。晶体管的功率耗散能力为300mW，结合其良好的热稳定性和封装设计，可以有效防止因过热而导致的性能下降或损坏。

2N1155晶体管广泛应用于多种电子电路中，主要包括音频放大器、射频（RF）放大器、中频（IF）放大器、开关电路、电源调节器以及逻辑电路中的接口器件。由于其良好的高频特性和稳定的增益表现，2N1155常用于通信设备中的信号放大模块，以确保信号传输的清晰度和稳定性。此外，该晶体管还被广泛应用于工业自动化控制设备、测试仪器、消费类电子产品和汽车电子系统中，作为关键的信号处理或电源控制元件。
　　在音频放大器设计中，2N1155可用于前置放大级或驱动级，提供足够的增益和较低的失真。在开关电路中，由于其快速响应特性和较低的饱和压降，2N1155能够有效提高开关效率，减少能量损耗。对于需要高频工作的设备，例如无线通信模块、射频识别（RFID）系统等，2N1155能够提供可靠的性能支持。

2N2222, 2N3904, BC547, 2SC1815