时间：2025/8/7 5:08:16
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T620122004DN是一款多层陶瓷电容器（MLCC），适用于高精度和高可靠性应用。这款电容器以其稳定性和紧凑的设计著称，广泛应用于工业设备和精密电子仪器中。
电容值：2200pF
容差：±1%
额定电压：50V
温度系数：C0G（NP0）
工作温度范围：-55°C至+125°C
封装尺寸：0805（公制2012）
T620122004DN是一款性能优异的陶瓷电容器，采用C0G（NP0）介质材料，具有极低的温度系数和高度稳定的电气特性。这种电容器在各种温度和电压条件下均能保持其电容值的精确性，非常适合用于需要高稳定性和低损耗的应用场景。此外，其多层结构设计提供了优异的机械强度和可靠性，确保在严苛环境下的稳定运行。该器件的容差为±1%，使得它在需要高精度电路设计的应用中具有重要价值。T620122004DN还具备良好的高频特性，使其适用于射频和高速信号处理应用。
在物理设计方面，T620122004DN采用了标准的0805（公制2012）封装尺寸，使其能够轻松集成到现有的电路板布局中。这种紧凑的设计不仅节省空间，还能有效减少电路的整体尺寸，非常适合用于高密度组装的电子设备。其额定电压为50V，能够满足大多数中高压电路的需求，同时具备良好的过电压耐受能力。此外，该电容器的工作温度范围为-55°C至+125°C，适用于极端温度条件下的工业和汽车应用。
T620122004DN常用于工业控制系统、精密测量仪器、通信设备以及汽车电子系统中，用于滤波、去耦和信号调节等关键电路。
VJ0805Y2200JXAC
