2N3200是一种NPN型双极性晶体管(BJT),广泛用于中功率放大和开关应用。这款晶体管具有良好的性能和稳定性,适用于多种电子电路设计。
晶体管类型:NPN型
最大集电极电流(IC):300 mA
最大集电极-发射极电压(VCE):40 V
最大集电极-基极电压(VCB):60 V
最大功耗(PD):300 mW
电流增益(hFE):在IC=2 mA时,通常为110至800(根据等级划分)
频率响应(fT):100 MHz
工作温度范围:-55°C至+150°C
2N3200具有多种特性,使其适用于广泛的电子应用。首先,它具备较高的电流增益(hFE),使其在低信号放大电路中表现出色。其次,该晶体管的工作频率较高,达到100 MHz,因此可以用于射频(RF)和高速开关应用。此外,2N3200的最大集电极-发射极电压为40V,使其能够承受较高的电压应力,适用于中等功率放大器和开关电路。该晶体管的封装形式通常为TO-92,便于安装和散热。最后,其较低的最大功耗(300mW)确保了在正常工作条件下不会产生过多热量,提高了器件的可靠性。
2N3200通常用于音频放大器、射频放大器、开关电路和数字逻辑电路中。在音频应用中,它被用作前置放大器或驱动级放大器,以增强信号强度。在射频领域,该晶体管可用于低噪声放大器或混频器。此外,它还可用于数字电路中的开关元件,例如在继电器驱动电路或LED驱动电路中使用。
2N2222, 2N3904, BC547