型号：CBH201209W800T
　　类型：碳化硅肖特基二极管
　　反向重复电压（VRRM）：650V
　　平均正向电流（IF(AV)）：12A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：120A
　　正向压降（VF）：1.7V（典型值，@ IF = 12A, Tj = 25°C）
　　反向漏电流（IR）：100μA（最大值，@ VR = 650V, Tj = 25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220W
　　安装方式：通孔（Through-Hole）
　　热阻（RθJC）：3.5°C/W（典型值）
　　反向恢复时间（trr）：0ns（无反向恢复电荷）

CBH201209W800T作为一款基于碳化硅（SiC）材料的肖特基二极管，其最显著的特性在于零反向恢复电荷和极低的开关损耗。由于碳化硅材料具有宽禁带特性，该器件在高温、高压和高频条件下仍能保持优异的电气性能。与传统的硅基PIN二极管相比，CBH201209W800T在关断过程中不会产生反向恢复电流，从而避免了由此引发的电压尖峰和电磁干扰问题，极大地提升了系统的可靠性和稳定性。这一特性使其特别适用于高频率开关电源和连续导通模式（CCM）的PFC电路中，在这些应用场景中，传统二极管的反向恢复损耗往往成为限制效率提升的关键因素。
　　该器件具备出色的热稳定性，其最高工作结温可达+175°C，远高于普通硅器件的150°C上限，这意味着在高功率密度设计中可以减少散热器尺寸或实现自然冷却，从而降低系统成本和体积。同时，其较低的正向压降（1.7V @ 12A）确保了在大电流导通状态下的低导通损耗，进一步提升了能效表现。此外，TO-220W封装不仅提供了良好的机械强度，还具备优异的热传导能力，便于将芯片产生的热量快速传递至散热器，保障长期稳定运行。
　　CBH201209W800T还具备较强的抗浪涌能力，可承受高达120A的非重复浪涌电流，适用于存在启动冲击或异常工况的电源系统。其反向漏电流在常温下仅为100μA，在高温环境下虽有所增加，但仍处于可控范围，不会对系统造成显著影响。总体而言，该器件结合了碳化硅材料的物理优势与成熟的封装工艺，是现代高效电力电子系统中理想的整流与续流元件选择。

CBH201209W800T广泛应用于各类高效率电力电子设备中。其主要应用领域包括：通信电源和服务器电源中的功率因数校正（PFC）级，用于替代传统硅快恢复二极管以降低损耗并提高系统效率；在DC-DC转换器中作为输出整流二极管，利用其零反向恢复特性实现高频化设计，减小磁性元件体积；在太阳能光伏逆变器中用于直流侧升压电路，提升整体转换效率并增强系统可靠性；此外，该器件也适用于电动汽车充电模块、工业电机驱动电源以及高密度AC-DC适配器等对能效和热管理要求严苛的应用场景。由于其具备良好的高温工作能力和长期稳定性，CBH201209W800T在工业自动化、新能源发电及高端消费类电子产品中均有广泛应用前景。

CREE C3D10065A
　　ON Semiconductor FFSH1065B
　　Infineon IDW12G65C6