T30UXUB 是东芝(Toshiba)公司生产的一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)功率晶体管。这款器件广泛应用于电源管理和功率转换系统中,具备高效能和高可靠性的特点。T30UXUB采用N沟道结构,能够提供较大的电流承载能力和较低的导通电阻,适用于各种高效率开关电源、DC-DC转换器和负载开关应用。
类型:N沟道
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):20V
连续漏极电流(Id):60A
导通电阻(Rds(on)):5.5mΩ(最大值,Vgs=10V)
功率耗散(Pd):130W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TO-252(DPAK)
T30UXUB具有多项优异的电气特性和设计优势。其低导通电阻(Rds(on))确保了在高电流工作条件下的低功耗,提高了系统的整体效率。此外,该MOSFET具备较高的电流承载能力,连续漏极电流可达60A,适用于需要高功率密度的设计。T30UXUB采用了先进的沟槽式MOSFET技术,优化了开关性能,减少了开关损耗,从而提升了器件在高频开关应用中的表现。
该器件的封装形式为TO-252(也称为DPAK),这种表面贴装封装方式不仅便于安装,还具有良好的散热性能,有助于提高器件在高功率应用中的可靠性。T30UXUB还具备良好的热稳定性和抗冲击能力,能够在恶劣的工作环境下稳定运行。
为了确保安全和稳定的工作,T30UXUB支持较高的栅源电压(Vgs)范围,最大可达20V,但在实际应用中推荐使用10V的栅极驱动电压以确保最佳的导通性能。同时,该器件的漏源击穿电压为30V,能够满足低压功率转换系统的需求。
T30UXUB广泛应用于多种电源管理和功率转换电路中。常见的应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统(BMS)、电机驱动电路以及各类工业自动化设备中的功率控制模块。由于其高效的导通特性和良好的热管理能力,该器件特别适合用于需要高效率和高可靠性的电源系统。此外,T30UXUB也可用于汽车电子系统,如车载充电器、启停系统和电动助力转向系统等场景。
在电源设计中,T30UXUB常用于同步整流拓扑结构中,以替代传统的肖特基二极管,从而显著降低整流损耗,提高转换效率。其低导通电阻特性使其在高电流负载条件下仍能保持较低的温升,有助于提高系统的稳定性和寿命。在电机驱动应用中,该MOSFET可用于H桥电路中的功率开关,实现对电机速度和方向的精确控制。
Si4410BDY-T1-GE3, IRF3710, FDS6680, TPSD403