时间：2025/8/14 19:53:31
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BAS70SDW是一款由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）制造的高频双极型晶体管（BJT）。这款晶体管设计用于高频应用，具有优异的增益带宽乘积（fT）和快速开关特性。BAS70SDW采用SOT-323（SC-70）封装，是一种小型化且适合表面贴装的器件，适用于现代电子设备中的空间受限设计。该晶体管通常用于射频（RF）放大、信号处理、混频器和振荡器等高频电路中。
类型：NPN双极型晶体管
封装类型：SOT-323（SC-70）
最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
最大集电极电流（IC）：100mA
最大功耗（PD）：200mW
增益带宽乘积（fT）：100MHz
电流增益（hFE）：典型值110（在2mA集电极电流下）
工作温度范围：-55°C至+150°C
BAS70SDW具有多项优异的电气和物理特性，使其在高频应用中表现出色。首先，其高增益带宽乘积（fT）达到100MHz，使得该晶体管在射频和中频放大器中表现优异。其次，BAS70SDW的SOT-323封装不仅体积小巧，而且具有良好的热性能和电气性能，适用于高密度PCB布局。
该晶体管的电流增益（hFE）在2mA集电极电流下典型值为110，提供稳定的放大性能。此外，其最大集电极-发射极电压为30V，最大集电极电流为100mA，能够在中等功率应用中可靠运行。BAS70SDW的工作温度范围广泛，从-55°C到+150°C，使其适用于各种环境条件下的电子设备。
该器件的开关速度快，响应时间短，适用于数字电路中的高速开关应用。此外，其低噪声系数使其在低噪声放大器（LNA）中具有良好的性能表现。
BAS70SDW广泛应用于高频电子电路中，尤其是在射频（RF）和中频（IF）放大器中。它常用于无线通信设备、卫星接收器、射频识别（RFID）系统、天线放大器和混频器等高频信号处理电路。
在消费电子领域，BAS70SDW可用于蓝牙模块、Wi-Fi收发器和FM接收器中的信号放大。此外，该晶体管还可用于音频放大器的前置级、传感器信号调理电路以及高速数字开关电路。
由于其SOT-323封装的小型化特点，BAS70SDW也适用于便携式电子设备和嵌入式系统中的空间受限设计。例如，在智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，BAS70SDW可以用于射频前端模块或电源管理电路中的高频信号处理部分。
BC847BS、2N3904、MMBT3904、2N2222、MMBT2222、BFQ19S、BFR106、BFS17A
