T1S33P-2.5 时间：2025/8/3 10:21:05 阅读：19

T1S33P-2.5 是一款由东芝（Toshiba）生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）功率器件，属于低电压、高效率的功率开关元件。该型号设计用于中高功率应用，如电源管理、DC-DC转换器、电池管理系统以及工业自动化设备等。T1S33P-2.5 采用P沟道结构，具有低导通电阻（RDS(on)）和优异的热稳定性，适用于需要高可靠性和高效率的电路设计。

参数

型号：T1S33P-2.5
　　类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　漏极电流（ID）：3.3A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大85mΩ @ VGS = 10V
　　功率耗散（PD）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：SOP（小外形封装）
　　引脚数：8

特性

T1S33P-2.5 MOSFET具备多项优异特性，适合高效率功率转换应用。首先，其P沟道结构支持在低电压下实现高效的功率控制，适用于24V及以下的电源系统。其次，该器件具有极低的导通电阻（RDS(on)）值，通常低于85mΩ，有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。
　　此外，T1S33P-2.5 的漏源电压（VDS）为30V，支持较宽的工作电压范围，能够承受一定的电压波动而不影响正常工作。其栅源电压（VGS）为±20V，表明该器件具备较高的栅极耐压能力，从而增强了其在复杂电磁环境下的可靠性。
　　在热性能方面，T1S33P-2.5 的最大功率耗散为2.5W，并且采用SOP封装形式，具有良好的散热能力，适用于紧凑型电路板设计。该器件的工作温度范围为-55°C至150°C，适应于工业级和汽车电子应用环境，确保在极端温度条件下仍能稳定运行。
　　最后，T1S33P-2.5 具有8个引脚，提供充足的电气隔离和良好的封装兼容性，方便工程师在不同电路设计中使用。

应用

T1S33P-2.5 MOSFET广泛应用于多个领域，包括电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电池供电设备、工业自动化控制系统以及汽车电子模块等。其低导通电阻和高可靠性使其特别适合用于高效率的同步整流电路和电源管理单元。在便携式设备中，T1S33P-2.5 可用于电池充放电管理电路，实现高效能的能量转换。同时，该器件也常用于电机驱动、LED驱动电源以及电源分配系统等场景，满足不同应用对功率控制的需求。