时间：2025/8/1 1:08:29
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PM3R022ZB1是一种功率MOSFET，专为高效能功率转换应用设计。它采用了先进的沟槽技术，提供低导通电阻和优异的开关性能，适合用于电源管理、DC-DC转换器和电池管理系统等场景。
类型：功率MOSFET
最大漏源电压(Vds)：30V
最大漏极电流(Id)：22A
导通电阻(Rds(on))：22mΩ
封装类型：DFN5x6
PM3R022ZB1具备低导通电阻，有效降低功率损耗，提高系统效率；其先进的沟槽技术确保了出色的热性能和高可靠性；此外，该器件的封装设计优化了空间利用率，适用于紧凑型电路设计。
该MOSFET具有快速开关特性，能够适应高频操作，减少开关损耗；其高耐压能力和过载保护特性使其在恶劣工作环境下依然稳定可靠；器件的低栅极电荷(Qg)进一步优化了驱动性能，减少控制电路的负担。
PM3R022ZB1还具有优异的热阻性能，确保在高电流条件下仍能保持较低的工作温度，从而延长使用寿命并提高系统稳定性；其无铅封装符合RoHS标准，满足环保要求。
PM3R022ZB1广泛应用于电源管理模块、DC-DC转换器、电池管理系统、电动工具和工业自动化设备中。
SiR340DP, FDS6680, IPB022N03L, PM3R022ZB1
