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AON6354 发布时间 时间:2025/4/29 11:26:39 查看 阅读:2

AON6354是一款由Alpha & Omega Semiconductor(万代半导体)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适用于各种功率转换和负载切换应用。AON6354通常被用于电源管理电路中,如DC-DC转换器、负载开关、电池保护电路以及电机驱动等场景。
  AON6354的封装形式为DFN5x6-8L,这种小型化封装使其非常适合对空间要求严格的便携式设备设计。此外,其优异的电气性能和可靠性也使其成为消费电子、工业控制和通信设备的理想选择。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:12A
  导通电阻:1.2mΩ
  栅极电荷:12nC
  总电容:1200pF
  工作结温范围:-55℃至175℃
  封装形式:DFN5x6-8L

特性

AON6354具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 高速开关能力,能够满足高频开关应用的需求。
  3. 小型化的DFN封装,节省PCB板空间。
  4. 出色的热性能,可有效降低芯片运行温度,提升长期可靠性。
  5. 支持较宽的工作温度范围,适应多种恶劣环境条件下的应用需求。
  6. 内置ESD保护功能,增强芯片抗静电能力,简化电路设计。

应用

AON6354适用于以下应用场景:
  1. DC-DC转换器中的同步整流开关或主开关。
  2. 负载开关,在便携式设备中实现快速启停和过流保护。
  3. 电池保护电路,防止过度放电或短路。
  4. 电机驱动电路,控制电机启动、停止及调速。
  5. 各类电源适配器和充电器中的功率开关元件。
  6. 工业自动化控制系统的功率级组件。

替代型号

AON6349, AON6355, AON6358

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AON6354参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥2.23920卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)83A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)3.3 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)35 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1330 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)36W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerSMD,扁平引线