E28F008SA120 时间：2025/10/29 23:07:32 阅读：6

E28F008SA120 是由英特尔（Intel）公司推出的一款并行接口的闪存芯片，属于 Intel StrataFlash Embedded Memory 技术系列。该器件采用先进的多级单元（MLC）技术，能够在单个存储单元中存储多个比特的信息，从而在不显著增加芯片物理尺寸的情况下提升存储密度，降低单位存储成本。E28F008SA120 的总容量为 8 Mbit（即 1 Megabyte），组织形式为 512 K x 16 位，适用于需要中等容量、非易失性存储的嵌入式系统应用。该芯片支持 3.3V 单电源供电，并具备低功耗特性，适合电池供电或对功耗敏感的应用场景。其工作温度范围通常覆盖工业级标准（-40°C 至 +85°C），确保在恶劣环境下的稳定运行。
　　E28F008SA120 支持快速读取操作，访问时间典型值为 120 纳秒，满足实时系统对数据响应速度的要求。该器件集成了智能写入和擦除算法，用户可通过标准命令接口执行编程和扇区擦除操作，无需外部高压编程电源。此外，它还具备软件数据保护机制，可防止因误操作或系统异常导致的数据丢失。由于其高可靠性、兼容性和成熟的技术生态，E28F008SA120 被广泛应用于通信设备、工业控制、网络基础设施和消费类电子产品中。需要注意的是，随着半导体技术的发展，该型号可能已进入停产（obsolete）状态，建议在新设计中考虑替代方案或使用库存产品。

参数

型号：E28F008SA120
　　制造商：Intel
　　存储容量：8 Mbit (1 MB)
　　组织结构：512K x 16
　　工艺技术：StrataFlash MLC
　　供电电压：2.7V ~ 3.6V
　　访问时间：120 ns
　　工作温度：-40°C ~ +85°C
　　封装形式：TSOP56 / FBGA
　　接口类型：并行异步
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　擦除方式：扇区或整片擦除
　　写保护功能：软件控制
　　数据保持时间：10 年以上（典型）
　　擦写次数：100,000 次（典型）

特性

E28F008SA120 采用 Intel 独有的 StrataFlash 技术，这是一种基于浮栅晶体管结构的多级单元（MLC）闪存技术，能够在每个存储单元中存储两位数据，从而在相同硅片面积下实现比传统单层单元（SLC）闪存更高的存储密度。这种设计不仅降低了每比特的成本，还提升了芯片的整体性价比，特别适合对成本敏感但又需要一定存储容量的嵌入式应用。StrataFlash 技术通过精确控制浮栅中的电荷量来区分不同的数据状态，配合先进的纠错码（ECC）和读取校准算法，确保数据读取的准确性和稳定性。
　　该芯片具备高效的命令执行架构，支持 JEDEC 标准的 CFI（Common Flash Interface），允许系统在上电时自动读取器件的参数信息，简化了系统设计与软件开发流程。用户可以通过发送特定的命令序列来执行写入、编程、扇区擦除和整片擦除等操作。内置的内部电荷泵电路能够自动生成编程和擦除所需的高压，无需外部提供额外的高压电源，极大简化了电源设计并提高了系统的集成度。此外，E28F008SA120 提供了多种软件保护机制，包括密码锁定、临时/永久写保护以及防止意外写入的功能，有效增强了数据的安全性。
　　在可靠性方面，该器件具有出色的耐久性和数据保持能力，支持高达 100,000 次的擦写周期，并可在断电情况下保持数据超过 10 年。其工业级温度范围使其适用于各种严苛的工作环境，如户外通信设备、工业自动化控制器和车载电子系统。尽管其读取速度为 120ns，略慢于高速 NOR Flash，但在大多数嵌入式应用场景中仍能提供足够的性能。此外，该芯片支持低功耗模式，在待机状态下电流消耗极低，有助于延长电池供电设备的续航时间。虽然该型号目前已逐渐被更先进的闪存产品所取代，但其成熟的设计和广泛的兼容性使其仍在一些维护型项目和旧有系统中继续使用。

应用

E28F008SA120 主要应用于各类需要可靠非易失性存储的嵌入式系统中。在通信领域，它常用于路由器、交换机和基站设备中，用于存储固件、配置文件和启动代码。由于其具备快速启动能力和稳定的读取性能，非常适合作为系统引导闪存（boot flash），确保设备上电后能迅速加载操作系统或初始化程序。在工业控制系统中，该芯片可用于 PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和远程 I/O 模块中，保存用户程序、设备参数和校准数据，即使在断电或环境干扰下也能保证关键信息不丢失。
　　在网络设备方面，E28F008SA120 可用于存储 BIOS 或 FPGA 配置数据，支持系统在重启后自动恢复至预设状态。在消费类电子产品中，如机顶盒、数字电视和家用网关，该芯片可用于存放系统软件和用户设置，提供稳定的数据存储解决方案。此外，在汽车电子系统中，尽管高温要求更为严苛，但在部分非核心模块中，如车载信息娱乐系统或车身控制模块，该器件也可作为辅助存储使用。
　　由于其并行接口特性，E28F008SA120 特别适合与微控制器、DSP 或 ASIC 搭配使用，尤其适用于不具备外部存储控制器或需要直接内存映射访问的应用场景。其地址和数据线独立的设计使得 CPU 可以像访问 SRAM 一样直接读取闪存内容，减少了中间协议转换的开销，提高了系统整体效率。尽管当前趋势正向串行闪存（如 SPI NOR Flash）转移以节省引脚数和 PCB 空间，但在某些需要高吞吐量或实时响应的场合，并行接口闪存仍具优势。因此，E28F008SA120 在特定细分市场中依然保有一定的应用价值。