FDS8672 时间：2025/8/24 16:32:19 阅读：6

FDS8672是一种高性能、双通道、N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）芯片，由安森美半导体（ON Semiconductor）生产。该器件专为高效率、低电压应用而设计，适用于电池供电设备、DC-DC转换器、负载开关和电机驱动电路等。FDS8672采用5引脚DFN封装，具有低导通电阻（RDS(on)）和良好的热性能，能够在较高的开关频率下运行。

参数

类型：双通道N沟道MOSFET
　　最大漏极电压（VDSS）：30V
　　最大漏极电流（ID）：8A（每个通道）
　　导通电阻（RDS(on)）：12mΩ（典型值，VGS=4.5V）
　　栅极电压范围：1.8V至20V
　　封装形式：5-DFN（5.0mm x 6.0mm）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

特性

FDS8672具有多项优异的电气和热性能特点。首先，其双通道结构允许两个独立的MOSFET在单个封装中运行，从而减少了电路板空间和元件数量。其次，低RDS(on)特性可显著降低导通损耗，提高系统效率，并减少发热。此外，该器件支持宽范围的栅极电压输入，使其适用于多种控制电路设计。
　　该MOSFET具有出色的热管理能力，得益于其DFN封装底部的散热焊盘设计，能够有效地将热量传导至PCB上，从而提高器件在高电流应用下的可靠性。FDS8672还具有高雪崩能量耐受能力，适用于需要频繁开关或承受瞬态电压的应用场景。
　　此外，FDS8672在1.8V逻辑电平下能够完全导通，使其兼容现代低电压微控制器和数字电路，非常适合用于便携式电子设备和嵌入式系统中的功率管理。

应用

FDS8672广泛应用于多个领域，包括但不限于：
　　1. 电源管理系统：如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器等。
　　2. 电池供电设备：如笔记本电脑、平板电脑、智能移动设备等，用于负载开关或电源切换。
　　3. 电机驱动和H桥电路：由于其低RDS(on)和高电流能力，适用于小型电机控制应用。
　　4. 工业自动化设备：如PLC、传感器模块和工业电机控制板。
　　5. 汽车电子：如车载充电器、车身控制模块和辅助电机控制。