NX3008NBKT 时间：2025/9/15 2:07:48 阅读：5

NX3008NBKT 是一款由Nexperia（安世半导体）推出的双N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件。该器件采用小型DFN1006BD-3封装，适用于高效率、小体积的电源管理和开关应用。NX3008NBKT 设计用于在低电压环境下提供高电流能力，非常适合用于便携式电子产品、电池管理系统、负载开关以及DC-DC转换器等场景。其双MOSFET结构允许用户在需要双向控制或并联使用时实现更高的电流处理能力。

参数

类型：双N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：80V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：1.8A（单个通道）
　　导通电阻(RDS(on))：350mΩ @ VGS = 10V
　　栅极电荷(Qg)：2.8nC
　　封装类型：DFN1006BD-3
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C

特性

NX3008NBKT 的主要特性之一是其高集成度与小型封装相结合，使其非常适合空间受限的设计。该器件的两个N沟道MOSFET在同一个芯片上，可以同时工作或独立控制，提升了设计灵活性。此外，其低导通电阻（RDS(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率。该MOSFET的栅极电荷较低，意味着在高频开关应用中具有更短的开关时间和更低的开关损耗。
　　NX3008NBKT 还具有良好的热性能，DFN封装具备优异的热传导能力，使得器件在高负载下依然能够保持稳定工作。其宽泛的工作温度范围也确保了其在极端环境下的可靠性，适用于工业级和汽车电子应用。
　　此外，NX3008NBKT 的栅极驱动电压范围较宽，支持从4.5V到10V的驱动电压，兼容多种常见的MOSFET驱动电路，如微控制器输出或专用门驱动IC。这使其在多种电源管理系统中具有广泛的应用潜力。

应用

NX3008NBKT 主要应用于需要高效、小型化设计的电源管理系统中。例如，在便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中，它可用于电池供电管理、负载开关控制和DC-DC升压/降压转换器。由于其具备较高的电流承载能力和低导通电阻，NX3008NBKT 也非常适合用于工业自动化设备中的马达驱动、继电器替代和电源分配系统。
　　在汽车电子领域，NX3008NBKT 可用于车身控制模块、车灯控制、车载充电系统等。其高可靠性和宽温度范围使其能够在严苛的汽车环境中稳定工作。此外，NX3008NBKT 也适用于各类低电压电机控制、LED驱动和热插拔电路设计。
　　由于其双通道结构，NX3008NBKT 在需要双向控制或并联扩展电流能力的应用中也表现出色，例如H桥电机驱动、同步整流器和负载均衡电路等。