类型：NPN型双极晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗（Ptot）：200 mW
　　过渡频率（fT）：100 MHz
　　电流增益（hFE）：110 至 800（根据等级不同）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23

T1455D/S具有多项优异的电气和物理特性，使其在高频电子电路中表现出色。首先，其高频特性使得该晶体管非常适合用于射频放大器和振荡器，能够有效处理高达100 MHz的信号频率。其次，T1455D/S的电流增益范围较宽（110至800），根据不同的等级划分，能够满足不同放大需求的设计。该晶体管的低噪声系数使其在低噪声放大器设计中具有优势，能够有效减少信号放大过程中的噪声干扰。
　　此外，T1455D/S采用SOT-23小型封装，适用于表面贴装技术，便于自动化生产和高密度电路布局。其最大集电极-发射极电压和集电极-基极电压均为30 V，具备较高的耐压能力，适用于多种电源条件下的电路设计。该晶体管的最大功耗为200 mW，在高频工作条件下仍能保持良好的热稳定性。
　　该晶体管的工作温度范围从-55°C至+150°C，具有良好的环境适应性，适用于工业级和汽车电子等对温度要求较高的应用场景。此外，T1455D/S具备良好的可靠性和稳定性，能够在复杂电磁环境中保持正常工作。

T1455D/S晶体管广泛应用于高频电子电路设计，包括射频（RF）放大器、低噪声放大器、振荡器和混频器等电路。其高频特性和低噪声系数使其成为无线通信系统、射频识别（RFID）设备、卫星接收器和高频信号发生器的理想选择。此外，该晶体管也常用于音频放大器的前置放大级、模拟开关电路以及高速数字逻辑电路中的开关元件。
　　由于其小型SOT-23封装，T1455D/S非常适合用于便携式电子产品、消费类电子设备和工业控制设备中的高频信号处理模块。在汽车电子领域，T1455D/S可用于车载通信系统、遥控钥匙（RKE）模块和车载娱乐系统的射频前端电路。

BC847系列, 2N3904, BFQ59, PN2222A