时间：2025/8/14 15:18:48
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PJW7N04-AU_R2_000A1 是一款由 Renesas（瑞萨电子）推出的 N 沟道功率 MOSFET，专为高效能电源管理应用设计。该器件采用高性能硅技术，具备低导通电阻（RDS(on)）和高电流处理能力，适用于汽车、工业控制和电源转换系统等要求严苛的应用场景。该型号封装为 HSOP（高散热功率表面贴装封装），具备良好的热管理和电气性能。
类型：N 沟道 MOSFET
漏极电流（ID）：40A
漏极-源极击穿电压（VDS）：40V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大 4.5mΩ（@VGS=10V）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：HSOP
PJW7N04-AU_R2_000A1 的核心特性包括极低的导通电阻（RDS(on)），这有助于减少功率损耗并提高整体效率。其高电流处理能力（40A）和 40V 的漏极-源极电压额定值，使其适用于中高功率应用。此外，该器件支持高达 ±20V 的栅极-源极电压，提供了良好的栅极驱动灵活性。
该 MOSFET 还具备卓越的热稳定性，其 HSOP 封装设计优化了散热性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定的运行。其宽广的工作温度范围（-55°C 至 +175°C）使其适用于极端环境下的应用，如汽车动力系统和工业设备。
在可靠性方面，该器件通过了严格的测试，具备高抗静电能力和良好的长期稳定性，适用于要求高可靠性的设计。此外，该器件符合 RoHS 标准，支持环保设计。
PJW7N04-AU_R2_000A1 广泛应用于汽车电子、工业电源、DC-DC 转换器、电机驱动器以及负载开关等场景。在汽车应用中，该器件可用于车载充电系统、电池管理系统和电动助力转向系统等。在工业领域，其高电流能力和低导通电阻使其成为高性能电源转换和电机控制电路的理想选择。
此外，该器件也适用于需要高效率和高可靠性的服务器电源、UPS（不间断电源）系统以及太阳能逆变器等应用。其 HSOP 封装适合表面贴装工艺，便于自动化生产和良好的热管理。
IPD90N04S4-04, STD40NF04L, IRF3710
