时间：2025/5/30 16:09:41
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STP35NF10是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装形式，适用于多种高电压、大电流的应用场景，例如开关电源、电机驱动、逆变器等。它具有较低的导通电阻和较高的开关速度，可有效减少功耗并提高系统效率。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：35A
导通电阻：7.5mΩ
栅极电荷：46nC
开关时间：ton=9ns，toff=38ns
总功耗：180W
工作温度范围：-55℃至+150℃
STP35NF10具备低导通电阻和低栅极电荷的特点，能够显著降低导通损耗和开关损耗。其优化的寄生电容设计使其开关性能更加优异，并且能够在高频条件下保持高效运行。
此外，该器件还具有较高的雪崩击穿能量（EAS），在异常工作情况下能提供更好的鲁棒性。同时，其封装形式便于散热处理，适合对热管理要求较高的应用环境。
STP35NF10的工作温度范围宽广，可在极端温度条件下稳定运行，这使得它非常适合工业及汽车领域的需求。
STP35NF10广泛应用于各类电力电子设备中，包括但不限于开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制电路、太阳能逆变器以及不间断电源（UPS）。由于其出色的电气特性和可靠性，也常用于工业自动化设备、家用电器以及电动工具等领域。
IRFZ44N
STP36NF10L
FDP15N10S
