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SI1553CDL-T1-GE3 发布时间 时间:2025/5/27 18:58:31 查看 阅读:11

Si1553CDL-T1-GE3 是一款由 Skyworks 提供的射频 (RF) 开关芯片,专为需要高性能和低插入损耗的应用而设计。该器件采用增强型互补金属氧化物半导体 (CMOS) 工艺制造,具有高线性度、快速切换时间和出色的射频性能。其广泛适用于通信系统、测试设备、雷达系统以及工业和医疗领域中的高频信号路由。

参数

类型:单刀双掷 (SPDT) 射频开关
  频率范围:DC 至 6 GHz
  插入损耗:0.4 dB(典型值)
  隔离度:32 dB(最小值)
  回波损耗:18 dB(典型值)
  供电电压:+2.7 V 至 +5.5 V
  静态电流:1 μA(最大值)
  封装形式:TSSOP-8
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

Si1553CDL-T1-GE3 的主要特性包括:
  1. 支持宽广的频率范围,能够覆盖从直流到高达 6 GHz 的应用需求。
  2. 具有极低的插入损耗和高隔离度,保证了信号传输的质量。
  3. 高线性度确保在大功率信号下仍能保持良好的性能。
  4. 超低功耗设计,适合电池供电和便携式设备使用。
  5. 快速切换时间,满足高速数据通信的需求。
  6. 紧凑的 TSSOP-8 封装,便于在空间受限的设计中进行集成。
  7. 工作温度范围广,适应各种恶劣环境下的应用。

应用

该芯片适用于以下应用场景:
  1. 无线通信基础设施,例如基站收发信机中的射频信号切换。
  2. 测试与测量设备,如网络分析仪、频谱分析仪等中的信号路由。
  3. 工业自动化和控制系统的射频模块。
  4. 医疗成像设备和其他对射频性能要求较高的医疗电子设备。
  5. 军事和航空航天领域中的雷达系统及卫星通信设备。

替代型号

Si1553CDV-T1-GE3
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Si1553CDL-T1-GE3参数

  • 制造商Vishay
  • 产品种类MOSFET
  • 封装Reel
  • 零件号别名SI1553CDL-GE3