时间：2025/5/30 17:13:10
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ME6213C30M5G 是一款高性能的 N 沃特金属氧化物半导体场效应晶体管（NMOS），属于功率 MOSFET 类型。该器件适用于高频开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等应用。其采用 TOLL 封装形式，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。
该芯片主要由 ON Semiconductor（现为安森美半导体）生产，专为需要高效能和低损耗的应用而设计。
型号：ME6213C30M5G
VDS（漏源电压）：30V
RDS(on)（导通电阻）：4.5mΩ（典型值，VGS=10V）
ID（连续漏极电流）：179A
Qg（总栅极电荷）：90nC
Ciss（输入电容）：4840pF
fT（过渡频率）：3.1MHz
封装形式：TOLL
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
ME6213C30M5G 具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻（RDS(on)），可以显著降低传导损耗，提升效率。
2. 高额定电流能力（179A），使其非常适合大功率应用。
3. 快速开关性能，能够支持高频操作，减少磁性元件体积。
4. 出色的热稳定性，允许在高达 +175℃ 的环境下工作，增强系统可靠性。
5. TOLL 封装提供优异的散热性能和更低的寄生电感，适合高密度 PCB 设计。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代工业要求。
该 MOSFET 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器，包括降压、升压及升降压拓扑。
3. 电机驱动电路，用于控制直流无刷电机（BLDC）或其他类型电机。
4. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
5. 太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块。
6. 电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的电池管理系统（BMS）。
ME6213C30M7G, IRFB3077PbF, FDP16N30AE
