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FDP75N08A 发布时间 时间:2024/8/8 16:33:46 查看 阅读:178

FDP75N08A MOSFET被定制为降低导通电阻,并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX和电子灯镇流器。

特征

75A,75V,RDS(开启)=11 m?VGS=10 V
  低栅极电荷(典型145nC)
  低铬(86pF型)
  改进的dv/dt能力

技术参数

耗散功率:137 W
  漏源极电压(Vds):75 V
  上升时间:212 ns
  输入电容(Ciss):3437pF 25V(Vds)
  额定功率(Max):137 W
  下降时间:147 ns
  工作温度(Max):150℃
  工作温度(Min):-55℃
  耗散功率(Max):137000 mW

封装参数

安装方式:Through Hole
  引脚数:3
  封装:TO-220-3

外形尺寸

长度:10.67 mm
  宽度:4.83 mm
  高度:9.4 mm
  封装:TO-220-3

符合标准

  含铅标准:Lead Free

其他

产品生命周期:Active
  包装方式:Tube

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FDP75N08A参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列UniFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)75V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C75A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C11 毫欧 @ 37.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs104nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4468pF @ 25V
  • 功率 - 最大137W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220
  • 包装管件