FDP75N08A MOSFET被定制为降低导通电阻,并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX和电子灯镇流器。
75A,75V,RDS(开启)=11 m?VGS=10 V
低栅极电荷(典型145nC)
低铬(86pF型)
改进的dv/dt能力
耗散功率:137 W
漏源极电压(Vds):75 V
上升时间:212 ns
输入电容(Ciss):3437pF 25V(Vds)
额定功率(Max):137 W
下降时间:147 ns
工作温度(Max):150℃
工作温度(Min):-55℃
耗散功率(Max):137000 mW
安装方式:Through Hole
引脚数:3
封装:TO-220-3
长度:10.67 mm
宽度:4.83 mm
高度:9.4 mm
封装:TO-220-3
含铅标准:Lead Free
产品生命周期:Active
包装方式:Tube