类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：12A
　　脉冲漏极电流（Idm）：48A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.25Ω（典型值）
　　功耗（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

JAN2N5583具有优异的功率处理能力和稳定的电气性能，适用于严苛的工作环境。其栅极结构采用增强型设计，确保在零栅压下器件处于关闭状态，提升了系统的安全性。此外，该器件的封装形式为TO-204（TO-3），具备良好的散热性能，有助于降低工作温度对器件性能的影响。
　　在动态特性方面，JAN2N5583具有快速的开关响应能力，其开关时间（包括导通延迟时间、上升时间、关断延迟时间和下降时间）均控制在较低水平，适用于高频开关应用。该器件还具有较低的输入电容和反馈电容，有助于减少驱动电路的负担，提高整体系统的效率。
　　从可靠性角度来看，JAN2N5583符合军用级（JAN）标准，经过严格的测试和筛选，能够在极端温度、振动和湿度条件下稳定工作。这种高可靠性使其特别适合用于航空航天、军事装备、工业控制系统等对器件性能要求极高的场合。

JAN2N5583广泛应用于多种高功率电子系统中。在电源管理领域，该器件可用于构建高效能的DC-DC转换器和AC-DC电源适配器，特别是在需要高效率和小体积设计的场合。在电机控制方面，JAN2N5583可用于H桥电路中的功率开关，实现对直流电机或步进电机的精确控制。
　　在工业自动化设备中，JAN2N5583常用于控制大功率负载的开关，例如加热元件、电磁阀和继电器。此外，该器件还可用于高频逆变器和不间断电源（UPS）系统，以提供稳定的电能转换与调节功能。
　　在航空航天和军事电子系统中，JAN2N5583凭借其高可靠性和优异的环境适应能力，常用于电源模块、雷达系统、通信设备以及导航控制系统的功率管理部分。

IRFZ44N, FDPF12N10, 2SK2647