类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：200A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.0mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-220 / TO-263

NCE200E10K 具备多项优异特性，首先是其低导通电阻（Rds(on)），典型值仅为1.0mΩ，这使得在大电流条件下导通损耗显著降低，从而提高整体系统效率。其次，该器件具有较高的耐压能力，漏源击穿电压（Vds）达到100V，适用于中高压功率转换应用。此外，NCE200E10K支持高达200A的连续漏极电流，适合需要高电流承载能力的场景，如电机驱动和电源模块。
　　其栅极驱动电压范围为±20V，兼容标准MOSFET驱动电路，便于在各种功率拓扑中使用。器件的工作温度范围为-55°C至+175°C，表现出良好的热稳定性和环境适应能力，适用于工业级和汽车级应用环境。NCE200E10K采用TO-220或TO-263封装形式，具有良好的散热性能，有助于提高器件在高功率密度设计中的可靠性。
　　此外，NCE200E10K在制造过程中采用了先进的平面工艺，确保了器件的高一致性与长寿命，同时具备优异的短路耐受能力，能够在极端工况下保持稳定运行。这些特性使得NCE200E10K成为电源管理、功率转换、电动工具、电池管理系统等领域的理想选择。

NCE200E10K 主要应用于需要高效功率控制的各类电子系统中。在开关电源（SMPS）中，它可用于同步整流、初级侧开关管或次级侧输出开关，提高电源转换效率并降低发热。在DC-DC转换器中，如Buck、Boost和Buck-Boost拓扑结构中，NCE200E10K凭借其低导通电阻和高电流承载能力，能够有效减少导通损耗，提高系统能效。
　　在电机控制系统中，该器件可用于H桥驱动电路，实现对直流电机或无刷电机的高效控制，适用于电动工具、电动车控制器和工业自动化设备。此外，NCE200E10K也广泛应用于电池管理系统（BMS）中，用于实现电池充放电控制、过流保护和均衡管理。
　　由于其高可靠性和宽温度范围，NCE200E10K还适用于工业控制设备、不间断电源（UPS）、光伏逆变器、储能系统以及新能源汽车相关应用。在消费类电子产品中，如大功率充电器、移动电源和智能家居设备中也有广泛应用。

SiHF200N10DY-T1-E3, IPW200N10LD, FDP200N10FD