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SZMMBZ5259BLT1G 发布时间 时间:2025/6/10 16:22:34 查看 阅读:33

SZMMBZ5259BLT1G 是一款基于肖特基工艺的双路高速二极管阵列芯片,主要应用于高频整流、保护电路和高速开关场景。其设计具有低正向压降和快速反向恢复时间的特点,能够显著提升电路效率并减少功率损耗。
  该型号采用无铅封装,符合 RoHS 标准,适用于对环保要求较高的工业和消费类电子领域。

参数

类型:双路肖特基二极管
  封装:SOT-23
  最大正向电流(If):0.3A
  最大反向电压(Vr):40V
  正向压降(Vf):0.35V(典型值,@ If=10mA)
  反向漏电流(Ir):1μA(最大值,@ 25°C)
  工作温度范围:-65°C 至 +175°C
  存储温度范围:-65°C 至 +175°C
  热阻(Rth):175°C/W

特性

1. 超低正向电压降,提高整体系统效率。
  2. 快速反向恢复时间,适合高频应用环境。
  3. 高可靠性设计,可在宽温范围内稳定运行。
  4. 小型化 SOT-23 封装,节省 PCB 空间。
  5. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
  6. 低反向漏电流,确保在高温环境下仍能保持良好性能。
  7. 可用于各种需要低功耗和快速响应的应用场景,例如数据通信设备、电源管理模块等。

应用

1. 高频整流电路
  2. 信号检波器
  3. 电池保护电路
  4. 开关电源中的续流二极管
  5. ESD 保护和浪涌抑制
  6. 消费电子产品中的电源管理模块
  7. 工业控制设备中的隔离与保护电路
  8. 数据通信接口保护

替代型号

MBR0520LT1G
  BAT54C
  SBR10U40CT
  1SS304E

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SZMMBZ5259BLT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)39V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)900mV @ 10mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电100nA @ 30V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大225mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)80 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-65°C ~ 150°C