SY100ELT11VZC 是 Analog Devices 公司(原 Hittite Microwave Corporation)生产的一款高性能射频(RF)和微波放大器芯片。该器件属于 Hittite 的 HMC-C 系列产品线,专为高频、宽带应用设计。SY100ELT11VZC 是一个 GaAs(砷化镓)MMIC(单片微波集成电路)低噪声放大器(LNA),适用于从 0.1 GHz 到 11 GHz 的广泛频率范围。
工作频率范围:0.1 GHz - 11 GHz
增益:典型值为 18 dB
噪声系数:典型值为 1.5 dB
输出三阶交调截点(OIP3):+18 dBm
输入驻波比(VSWR):1.5:1
工作电压:5V
工作电流:70 mA
封装类型:6 引脚 SMT(表面贴装技术)封装
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
SY100ELT11VZC 具有宽频带设计,能够在 0.1 GHz 到 11 GHz 的频率范围内提供稳定性能,使其适用于多种无线通信和测试设备应用。该器件采用了 GaAs MMIC 技术,具有高线性度和良好的噪声性能。其低噪声系数(典型值为 1.5 dB)和高增益(18 dB)确保了在弱信号环境下仍能提供高质量的信号放大。此外,SY100ELT11VZC 具有较高的输出三阶交调截点(OIP3 为 +18 dBm),表明其在高功率信号下仍能保持良好的线性度,减少信号失真。该芯片还具有良好的输入驻波比(1.5:1),保证了信号在输入端的良好匹配。SY100ELT11VZC 采用 6 引脚 SMT 封装,便于在高频 PCB(印刷电路板)中集成,并支持表面贴装工艺,提高生产效率和可靠性。其宽工作温度范围(-40°C 至 +85°C)使其适用于各种恶劣环境下的应用,如户外通信设备和工业控制系统。
SY100ELT11VZC 主要用于需要宽带低噪声放大的射频系统中,例如无线基站、卫星通信设备、微波测试仪器、雷达系统和宽带接收机。由于其高频率范围和良好性能,该芯片也常用于军事和航空航天领域的高频通信系统。在测试测量设备中,SY100ELT11VZC 可用于增强信号接收灵敏度,提升测试精度。此外,它还可以用于各种宽带射频前端模块,作为主放大器或前置放大器使用。
HMC-C019, HMC-C018, HMC-C020