时间：2025/12/26 23:23:14
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SZ1SMC48AT3G是一款由ONSEMI（安森美）公司生产的表面贴装硅整流二极管，属于1SMA封装系列中的瞬态电压抑制二极管（TVS Diode）。该器件专为保护敏感电子电路免受瞬态高能量脉冲的影响而设计，例如静电放电（ESD）、电感负载切换、雷击感应电压等。其主要功能是在电压超过预定阈值时迅速导通，将过电压钳位于安全水平，从而保护下游的集成电路和元器件。SZ1SMC48AT3G采用SMA（DO-214AC）封装，具有较小的体积和良好的散热性能，适用于空间受限的高密度PCB布局。该器件符合RoHS环保标准，并具备无卤素（Halogen-free）和绿色（Green）产品特性，适合现代电子产品对环保和可靠性的要求。其反向关断电压（Vrwm）为42.2V，击穿电压（Vbr）典型值为46.8V，最大钳位电压（Vc）为67.0V，在8/20μs电流脉冲下可承受高达15.8A的峰值脉冲电流（Ipp），具备较强的瞬态吸收能力。由于其响应速度快（通常在皮秒级）、可靠性高，广泛应用于通信设备、消费类电子产品、工业控制系统以及汽车电子等领域中对电源线或信号线进行过压保护。
型号：SZ1SMC48AT3G
制造商：ON Semiconductor (ONSEMI)
封装类型：SMA (DO-214AC)
极性：单向
反向工作电压(Vrwm)：42.2V
击穿电压(Vbr)测试电流：46.8V @ 1mA
最大钳位电压(Vc)：67.0V @ 9.4A
峰值脉冲功率(Ppk)：1500W (8/20μs波形)
峰值脉冲电流(Ipp)：15.8A
最大反向漏电流(IR)：5μA @ 42.2V
工作结温范围(Tj)：-55°C 至 +150°C
存储温度范围(Tstg)：-55°C 至 +150°C
引脚数量：2
安装方式：表面贴装(SMT)
SZ1SMC48AT3G作为一种高性能的瞬态电压抑制二极管，具备优异的瞬态响应能力和可靠的过压保护特性。其核心优势之一是快速响应时间，通常在皮秒级别，能够在瞬态电压事件发生的瞬间迅速导通，将电压钳制在安全范围内，有效防止后级电路因过压而损坏。这种快速响应对于应对如静电放电（ESD）这类突发性强、上升沿极陡的干扰尤为重要。该器件采用单向结构设计，适用于直流电源线路的保护场景，能够承受高达1500W的峰值脉冲功率（基于8/20μs电流波形），表现出强大的能量吸收能力。其低动态电阻特性确保在大电流冲击下仍能维持较低的钳位电压，减少对被保护电路的应力影响。
SZ1SMC48AT3G的电气稳定性优异，在宽温度范围内（-55°C至+150°C）保持一致的性能表现，适用于严苛环境下的工业与汽车应用。其反向漏电流极低（最大5μA），在正常工作状态下几乎不消耗系统功耗，有助于提升整体能效。此外，该器件具备良好的浪涌耐受能力，经过严格测试符合IEC61000-4-2（ESD ±15kV空气放电）、IEC61000-4-4（EFT）和IEC61000-4-5（雷击浪涌）等多项国际电磁兼容标准，增强了系统的抗干扰能力与长期运行可靠性。SMA封装形式不仅节省PCB空间，还便于自动化贴片生产，提升了制造效率。该器件无铅、符合RoHS指令，并满足J-STD-020的回流焊温度要求，支持现代电子制造中的无铅焊接工艺。综合来看，SZ1SMC48AT3G是一款集高可靠性、小尺寸、强防护能力于一体的TVS二极管，适用于多种需要稳健过压保护的应用场合。
SZ1SMC48AT3G广泛应用于各类需要瞬态电压保护的电子系统中，尤其适用于直流电源输入端口的过压防护。在通信设备中，它常用于以太网端口、RS-232/RS-485接口、USB供电线路等位置，防止外部静电或雷击感应电压侵入主控芯片。在消费类电子产品中，如智能手机充电器、平板电脑、智能家居控制模块等，该器件可用于保护电源管理单元（PMU）和微控制器免受异常电压冲击。工业自动化领域中，PLC输入输出模块、传感器供电线路、人机界面（HMI）设备也常采用此类TVS二极管来增强系统的电磁兼容性和运行稳定性。
在汽车电子系统中，尽管该器件并非专门针对AEC-Q101认证设计，但仍可用于部分车载辅助电路的保护，例如车载信息娱乐系统的电源入口、DC-DC转换器前端、CAN总线节点的电源滤波网络等非关键路径上的过压抑制。此外，在医疗电子设备中，为了满足严格的EMC要求，SZ1SMC48AT3G可用于低功耗便携式仪器的电源轨保护，确保设备在复杂电磁环境中稳定运行。太阳能逆变器、LED驱动电源等电力电子装置中，该器件也可作为初级保护元件，配合保险丝、压敏电阻等构成多级保护架构，提升系统整体安全性。总之，凡是有潜在瞬态电压威胁的低压直流电路，均可考虑使用SZ1SMC48AT3G实现高效、紧凑的过压保护方案。
SMC48AHE3/54
TPSMA48A
