时间：2025/5/29 19:01:06
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CDR33BP112BKZPAT 是一款由ONSEMI（安森美）生产的瞬态电压抑制器（TVS）二极管阵列，主要用于保护电子设备免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和其他过电压事件的影响。该器件具有低电容特性，适用于高速数据线和信号线的保护，例如USB、HDMI等接口。
类型：TVS二极管阵列
工作电压：5V
最大箝位电压：24V
峰值脉冲电流：8A
响应时间：1ps
结电容：10pF
封装形式：DFN-8
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
CDR33BP112BKZPAT 的主要特性包括：
1. 超低结电容设计，适合高速数据传输线路的保护。
2. 快速响应时间，能够有效抑制瞬态电压尖峰。
3. 高度集成的多通道保护功能，节省PCB空间。
4. 符合IEC61000-4-2（±15kV接触放电/±30kV空气放电）标准要求。
5. 无铅环保设计，符合RoHS规范。
6. 稳定的电气性能和可靠性，适用于各种恶劣环境下的应用。
该器件广泛应用于消费类电子产品、通信设备以及工业控制领域，典型的应用场景包括：
1. USB 2.0/3.0接口保护。
2. HDMI、DisplayPort等高速视频接口保护。
3. 移动设备中的天线端口保护。
4. 网络设备中的以太网端口保护。
5. 工业自动化系统中的I/O端口保护。
PESD8V0X1BSF, SMAJ5.0A, SMTC5.0A
