时间：2025/8/6 12:47:41
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IXTQ44N50P是一款由IXYS公司制造的N沟道功率MOSFET。该器件设计用于高电压、高电流应用，具备优异的导通性能和快速开关特性。该MOSFET采用TO-247封装，适用于需要高效能和高可靠性的工业控制、电源管理和电机驱动等场景。
类型：N沟道
漏极电流（ID）：44A
漏极-源极击穿电压（VDS）：500V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：0.14Ω
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
IXTQ44N50P具有低导通电阻，可显著降低导通损耗，提高系统效率。其高耐压能力使其适用于多种高电压操作环境。此外，该器件具备出色的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定运行。TO-247封装提供良好的散热性能，有助于延长器件使用寿命。该MOSFET的快速开关特性也有助于减少开关损耗，提高整体系统性能。
在可靠性方面，IXTQ44N50P经过严格测试，确保在各种恶劣条件下仍能保持稳定工作。其宽工作温度范围允许该器件在高温环境中正常运行，而不会影响其电气性能。此外，该MOSFET具备良好的抗短路能力，能够承受短时间的高电流冲击，从而提高系统的整体安全性。
IXTQ44N50P广泛应用于多种高电压和高功率场景，包括但不限于工业电源、电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及电焊机等设备。其优异的电气性能和可靠性也使其成为高性能开关电源和DC-DC转换器的理想选择。
IXFH44N50P, IRFP460A, STW44N50
