型号：QM100DY-2HK
　　制造商：Qorvo
　　器件类型：射频低噪声放大器（LNA）
　　工艺技术：GaAs
　　封装类型：SOT-89 或类似小型化表面贴装封装（具体以 datasheet 为准）
　　工作频率范围：1.7 GHz 至 2.7 GHz（典型值）
　　增益：约 18 dB（典型值，2.14 GHz）
　　噪声系数：约 0.6 dB（典型值，2.14 GHz）
　　输入三阶交调截点（IIP3）：约 +15 dBm（典型值）
　　输出三阶交调截点（OIP3）：约 +33 dBm
　　工作电压范围：3.0 V 至 5.0 V
　　静态电流：约 45 mA（可调）
　　P1dB输出功率：约 +22 dBm
　　输入/输出阻抗：50 Ω（标称）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　ESD耐受能力：HBM > 1000 V（典型）

QM100DY-2HK具备多项关键特性，使其成为高端射频接收前端的理想选择。首先，其极低的噪声系数（典型值仅为0.6 dB）确保了在微弱信号环境下仍能保持高接收灵敏度，这对于提升蜂窝基站或远距离无线链路的性能至关重要。该低噪声表现得益于Qorvo成熟的GaAs pHEMT工艺，该工艺不仅提供了优异的高频响应能力，还有效降低了器件内部的热噪声和散粒噪声。其次，该放大器具有高达18 dB的稳定增益，能够在宽频带范围内提供平坦的增益响应，减少后续信号处理电路的设计复杂度，并有助于简化匹配网络设计。
　　另一个重要特性是其出色的线性性能，体现在高达+15 dBm的输入三阶交调截点（IIP3），这表明器件在存在强干扰信号时仍能保持良好的信号保真度，避免互调失真对接收通道造成影响。这一特性在多载波系统或高密度频谱环境中尤为重要，例如在LTE/5G宏基站或多频段共存系统中，能够有效抑制邻道干扰和带内失真。此外，QM100DY-2HK支持可调节的偏置电流功能，用户可通过外部电阻或电压控制静态工作点，在低功耗模式与高性能模式之间灵活切换，适用于对能效有严格要求的应用场景。
　　该器件还集成了全面的保护机制，包括内置的ESD保护二极管和电源反接保护电路，增强了现场使用的可靠性和耐用性。其SOT-89等小型化封装形式不仅节省PCB空间，还具备良好的散热性能，适合长时间连续运行。同时，器件在全工作温度范围内（-40°C至+85°C）均能维持稳定的电气参数，无需额外温度补偿电路即可满足工业级应用需求。最后，QM100DY-2HK符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子产品制造流程。

QM100DY-2HK主要应用于对射频接收性能要求极高的通信系统中。其典型使用场景包括蜂窝无线基础设施中的远程无线电头端（RRH）、分布式天线系统（DAS）以及小型蜂窝基站（Small Cell），在这些系统中作为低噪声前置放大器，用于增强上行链路信号强度并改善信噪比。此外，它也广泛用于点对点和点对多点微波回传系统，在这类长距离无线传输应用中，高增益和低噪声特性直接决定了系统的最大传输距离和可用带宽。
　　在宽带无线接入领域，如WIMAX、固定无线接入（FWA）和5G CPE设备中，QM100DY-2HK可用于提升接收灵敏度，尤其是在边缘覆盖区域或复杂电磁环境中保持稳定连接。该器件同样适用于测试与测量仪器，如频谱分析仪、信号发生器和网络分析仪的前端模块，提供干净、低失真的信号放大路径。
　　在工业、科学和医疗（ISM）频段设备中，例如2.4 GHz无线传感器网络、工业遥控装置和医疗遥测系统，QM100DY-2HK可显著提高接收机的抗干扰能力和通信可靠性。此外，因其宽频带特性和良好的阻抗匹配能力，该LNA也可用于多模多频段通信设备的通用射频前端设计，支持多种通信协议共存。军用通信和航空电子系统中也有潜在应用，前提是满足相应的资质认证和筛选流程。总之，任何需要高线性度、低噪声和稳定增益的射频接收系统均可考虑采用QM100DY-2HK作为核心放大元件。

QM100DH-2HK
　　UMCC UA2220-01
　　Mini-Circuits PGA-105+
　　Analog Devices HMC660LC5