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MB85R256FPNF-G-JNERE2 发布时间 时间:2025/6/19 11:02:27 查看 阅读:4

MB85R256FPNF-G-JNERE2 是一款由富士通(Fujitsu)生产的铁电随机存取存储器(FRAM),具有非易失性、低功耗和高速写入的特性。该型号属于 MB85R 系列,广泛应用于需要频繁数据记录、快速存储和高可靠性的场景。

参数

容量:256Kb (32K x 8)
  接口:I2C
  工作电压:1.7V 至 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装形式:WLCSP-8
  数据保存时间:超过10年
  写入次数:超过10^12次

特性

MB85R256FPNF-G-JNERE2 的核心优势在于其基于铁电技术的非易失性存储能力。与传统的 EEPROM 和闪存相比,它具备更高的写入耐久性以及更快的数据写入速度。
  该芯片支持 I2C 接口,通信速率高达 3.4 MHz,能够满足高性能应用的需求。
  其低功耗特性使其非常适合电池供电设备或对能耗敏感的应用环境。
  此外,该芯片还提供优异的抗辐射性能,能够在苛刻环境下保持数据完整性。
  由于其卓越的性能和可靠性,这款 FRAM 存储器在工业自动化、医疗设备、计量仪表等领域得到了广泛应用。

应用

MB85R256FPNF-G-JNERE2 被广泛应用于以下领域:
  1. 工业自动化系统中的数据日志记录。
  2. 医疗设备中的关键参数存储。
  3. 智能仪表(如水表、电表、气表)中的实时数据记录。
  4. 物联网终端节点的配置数据存储。
  5. 便携式消费电子产品的状态保存。
  6. 需要高频率写入操作的嵌入式系统。
  7. 军事及航天领域中要求高可靠性和抗辐射能力的场景。

替代型号

MB85RC256V, MB85RS256TY, MB85AS256V

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MB85R256FPNF-G-JNERE2参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态停产
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式FRAM
  • 技术FRAM(铁电体 RAM)
  • 存储容量256Kb
  • 存储器组织32K x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页150ns
  • 访问时间150 ns
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳28-SOIC(0.342",8.69mm 宽)
  • 供应商器件封装28-SOP